[发明专利]包括具有低电压读/写操作的存储器的集成电路有效
申请号: | 200780024544.X | 申请日: | 2007-04-19 |
公开(公告)号: | CN101479803A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 普拉桑特·U·肯卡雷;安德鲁·C·拉塞尔;大卫·R·彼阿登;詹姆斯·D·伯内特;特洛伊·L·库柏;张沙彦 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 具有 电压 操作 存储器 集成电路 | ||
发明背景
技术领域
本发明总体涉及电路,具体地涉及一种包括具有低电压读/写操作 的存储器的集成电路。
背景技术
较新一代的集成电路日益使用低供给电压以减少功耗。然而,当 低供给电压被用于读/写包括在集成电路中的存储器时,其降低了存储 器位单元的性能。作为示例,较低供给电压导致位单元较低的读/写容 限。为了维持读/写容限,常规地,电路设计者被迫使用较高的供给电 压。换句话说,位单元具有可接受读/写容限所需的最小供给电压变成 导致更高功耗的用于整个集成电路的供给电压。
如果能够改善位单元读/写容限,较低供给电压能够用于集成电 路。典型地,通过增大位单元的尺寸,能够改善位单元读/写容限。然 而,这增加了由位单元耗费的区域,从而导致存储器占用的区域也增 加了。
因此,存在对一种集成电路的需要,其在不增大位单元的尺寸的 情况下,包括具有低电压读/写操作的存储器。
发明内容
本发明提供了一种集成电路,包括:处理器;以行和列来组织并 且耦合到所述处理器的多个存储器单元,其中,存储器单元的行包括 字线并且所有的所述存储器单元耦合到所述字线,以及其中,存储器 单元的列包括位线并且所有所述存储器单元耦合到所述位线,其中所 述多个存储器单元的每一个具有写容限和读容限,其中所述写容限大 于所述读容限,并且其中通过设置所述存储器单元存取晶体管相对于 存储器单元上拉晶体管的传导系数比使得所述写容限大于所述读容 限;以及用于接收第一电源电压的第一电源电压节点和用于接收第二 电源电压的第二电源节点,其中,提供所述第一电源电压以向所述处 理器供电,并且其中,提供所述第一电源电压,以在所述多个存储器 单元的第一存取操作期间,向全部所述多个存储器单元或向所述多个 存储器单元的至少一个供电,并且其中,提供所述第一电源电压或所 述第二电源电压,以在所述多个存储器单元的第二存取操作期间,向 所述多个存储器单元供电。
附图说明
通过参考附图,本发明可以得到更好地理解,并且可以使其多个 目的、特征及优势对于本领域的技术人员变得更明显。
图1示出了根据本发明的一个实施例的具有存储器的示例性集成 电路的图;
图2示出了根据本发明的一个实施例的图1所示的存储器的示例性 部分的图;
图3示出了根据本发明的一个实施例的位单元的示例性实施方式 的图;
图4示出了根据本发明的一个实施例的位单元电压复用器的示例 性实施方式的图;
图5示出了根据本发明的一个实施例的图3的位单元的读操作的示 例性时序图;
图6示出了根据本发明的一个实施例的图3的位单元的写操作的示 例性时序图;以及
图7示出了根据本发明的一个实施例的用于改善位单元的写容限 的示例性电路;
技术人员应理解,图中的元素是为了简明和清晰的目的而示出的, 并非是一定按比例绘制的。例如,图中一些元素的尺度相对于其他元 素可能做了放大,以有助于改善对本发明的实施例的理解。
具体实施方式
下文对用于实施本发明的方式作了详细描述。该描述目的是阐释 本发明,而不应被视为限制性的。
在一方面,提供了一种具有低电压读/写操作的集成电路。集成电 路可以包括处理器和多个存储器单元,多个存储器单元以行和列组织, 并且与该处理器耦合,其中,存储器单元的行包括字线并且所有的存 储器单元与该字线耦合,以及其中,存储器单元的列包括位线并且所 有存储器单元与该位线耦合。集成电路还可以包括用于接收第一电源 电压的第一电源电压节点,以及用于接收第二电源电压的第二电源电 压的节点,其中,提供第一电源电压以向该处理器供电,并且其中, 提供第一电源电压,以在多个存储器单元的第一存取操作期间,向全 部多个存储器单元或多个存储器单元的至少一个供电,并且其中,提 供第一电源电压或第二电源电压,以在多个存储器单元的第二存取期 间,向多个存储器单元供电。
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