[发明专利]在用一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中使用的喷嘴装置和遮挡结构

权利要求书

1.一种用于处理微电子工件的设备，其包括：

a)处理腔室，在处理期间在所述处理腔室中布置有工件；

b)遮挡结构，其包括在处理期间叠置在工件上方并且至少部分地 覆盖工件的下表面，其中在所述遮挡结构的下表面和工件之间的距离 沿着朝向所述遮挡结构的外周边的方向逐渐减小；以及

c)抽吸通道，其以使得在所述遮挡结构的下表面上的液体能够从 所述遮挡结构的下表面上抽吸回的方式与遮挡结构流体连通；

其中所述抽吸通道包括抽吸管道，其中每个抽吸管道在位于所述 遮挡结构的下表面上的入口和位于所述遮挡结构的顶面上的出口之间 延伸。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述入口围绕着所述遮挡结构 的下表面的外周边分布。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述遮挡结构的顶面还包括围 绕着遮挡结构的顶面的外周边延伸的环型槽，并且所述出口以这样一 种方式设置，即，使得通过所述抽吸管道从所述遮挡结构的下表面抽 出的液体离开出口进入环型槽。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述遮挡结构的下表面还包括 从所述遮挡结构的下表面延伸出的环形凸缘，其中所述环形凸缘以帮 助将液体收集在所述遮挡结构的下表面的方式设置在所述遮挡结构的 下表面上，使得能够通过抽吸管道抽吸回所述液体。

5.一种用于处理微电子工件的设备，其包括：

a)处理腔室，在处理期间在所述处理腔室中布置工件；

b)遮挡结构，其包括具有外周边的下表面，所述下表面在处理期 间叠置在工件上方并且至少部分覆盖着工件；

c)特征部分，其以用来帮助吸附或者帮助容纳位于遮挡结构的下 表面上的液体的方式布置在所述遮挡结构的下表面上，其中所述特征 部分选自凹部、凸起及它们的组合；

d)抽吸通道，其位于所述特征部分附近用来使得所吸附或者容纳 的液体能够从遮挡结构的下表面抽吸收回，其中所述抽吸通道包括抽 吸管道，其中每个抽吸管道在位于所述遮挡结构的下表面上的入口和 位于所述遮挡结构的顶面上的出口之间延伸。

6.如权利要求5所述的设备，其中所述遮挡结构的下表面和所述 特征部分为亲水性的。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述遮挡结构的下表面由包括 石英的材料制成。

8.一种处理微电子工件的方法，该方法包括以下步骤：

a)将工件放置在设备的处理腔室中；

b)使得遮挡结构叠置在工件上方，所述遮挡结构包括在处理期间 覆盖所述工件的至少一部分的下表面；

c)对所覆盖的工件进行处理，所述处理包括将液体导入到所述处 理腔室中；以及

d)通过抽吸通道抽吸去除收集在所述遮挡结构下表面上的一部分 液体，其中所述抽吸通道包括抽吸管道，其中每个抽吸管道在位于所 述遮挡结构的下表面上的入口和位于所述遮挡结构的顶面上的出口之 间延伸。

9.一种遮挡结构，其包括：

a)环状体，其下表面与主体的轴线不垂直；以及

b)与环状体的下表面流体连通的抽吸通道，其能够回收在环状体 的下表面上的液体，其中所述抽吸通道包括抽吸管道，其中每个抽吸 管道在位于所述环状体(104)的下表面上的入口和通向在所述环状体 的顶面中形成的环形槽(152)的出口(158)之间延伸，所述环形槽 (152)在所述环状体(104)的外周边(112)附近。

10.如权利要求9所述的遮挡结构，其中所述下表面具有多项式 表面的表面几何形状。

11.根据权利要求10所述的遮挡结构，其中所述多项式表面为锥 形表面或抛物面。