[发明专利]具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法

权利要求书

1.一种具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，包括一源极区域，其横向的设置在漏极区域的对面，该漏极区域靠近半导体衬底的上表面，在该半导体衬底上的位于源极区域和漏极区域之间设有一栅极，该栅极设置在位于源极区域与一漏极漂移区域之间的上表面的一栅极氧化层之上；其特征在于，所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体更包括：

一组合式深井-沟道区域，其位于半导体衬底的一深度处，横向延伸至漏极漂移区域下并延伸至整个本体区域之下，该本体区域与靠近上表面的源极区域相邻，且该本体区域在栅极氧化层下方的上表面形成一沟道，其中该组合式深井-沟道区域为一埋藏式源极-本体接触，电性连接该本体区域、源极区域至该作为源极电极的半导体衬底的底部。

2.如权利要求1所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的漏极漂移区域设置在靠近上表面的栅极下方，且远离源极区域，并延伸且环绕漏极区域。

3.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的组合式深井-沟道区域所具有的一掺杂电性是与漏极漂移区域相反的，并补偿该漏极漂移区域以降低源极-漏极电容。

4.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，更包括一场氧化层，其设置在漏极漂移区域与漏极区域的顶部上，用于开设一漏极接触开口，通过该漏极接触开口在该场氧化层上沉积一漏极金属。

5.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的栅极更包括间隙以环绕且隔离该栅极的侧壁。 

6.如权利要求4所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的栅极更包括一梯田状栅极，其一部分的栅极位于所述的场氧化层顶部上。

7.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的栅极更包括一栅极屏蔽，其包含一覆盖在栅极上表面的导电层。

8.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的栅极更被一栅极顶部绝缘层与侧壁间隙层所覆盖；且

所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体更包括一势垒屏蔽层，其包括一导电层，该导电层覆盖在栅极顶部绝缘层、栅极侧壁间隙层及源极区域与本体区域的顶部表面上。

9.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，一本体接触区域设置在一被源极区域环绕的凹陷衬底的表面下；且

所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体更包括一势垒屏蔽层，其包括一导电层，该导电层覆盖在位于本体接触区域上方的凹陷顶部表面上的源极区域的顶部表面上。

10.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的半导体更包括一位于底部衬底层上的磊晶层，其中所述的组合式深井-沟道区域设置在磊晶层的一靠近底部部分，且其向下延伸至该底部衬底层，并横向延伸至位于漏极漂移区域下的磊晶层，以此使该组合式深井-沟道区域和漏极漂移区域垂直重叠，从而降低横向尺寸。

11.如权利要求1所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的源极和漏极区域是掺杂了本体区域的N-型导电掺杂物，所述的组合式深井-沟道区域掺杂位于P-型衬底上的P-型导电掺杂物。 

12.如权利要求1所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的源极和漏极区域是掺杂了本体区域的P-型导电掺杂物，所述的组合式深井-沟道区域掺杂位于P-型衬底上的N-型导电掺杂物。

13.如权利要求2所述的具有底部源极的横向式扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述的栅极更包括一栅极屏蔽，其包括一导电层，该导电层覆盖栅极顶部表面，是利用TiN/TiSix的硅化物金属化制程而形成的TiN/TiSix的金属化层；其中，TiN层位于TiSix层的上方。