[发明专利]高压双极-CMOS-DMOS集成电路器件及其模块形成方法

权利要求书

1.一种在半导体衬底中制造横向DMOS晶体管的工艺，所述衬底是第 一导电类型的并且不包括外延层，所述工艺包括：

在所述衬底的表面形成场氧化物层；

在所述衬底的表面上形成与所述场氧化物层横向间隔开的第一掩模层；

将第二导电类型的掺杂剂注入所述衬底，从而形成第二导电类型的共形 漂移区，所述共形漂移区具有在接近所述场氧化物层的第一边的区域中的第 一较深部、在接近于所述场氧化物层的第二边的区域中的第二较深部、和在 所述场氧化物层下面的较浅部；

在所述共形漂移区的第一和第二较深部和相邻于所述共形漂移区的第 一较深部的衬底的区域上方形成第二掩模层；

注入第一导电类型的掺杂剂，从而形成体区；

在所述共形漂移区的第一较深部上方并且在所述体区和所述共形漂移 区的第一较深部之间的衬底的区域上方形成栅极电介质层；并且

在所述栅极电介质层上方形成栅极。

2.根据权利要求1的工艺，还包括注入第二导电类型的掺杂剂，从而 在所述共形漂移区中形成所述第二导电类型的阱。

3.根据权利要求1的工艺，包括在所述栅极电介质层和部分所述场氧 化物层上方形成栅极。

4.一种在第一导电类型的半导体衬底中形成的横向DMOS器件，所述 衬底不包括外延层，所述器件包括：

在所述衬底的表面的场氧化物层，所述场氧化物层具有第一和第二边 缘；

在所述场氧化物区下面和延伸至所述场氧化物区的边缘以外的第二导 电类型的共形漂移区，所述共形漂移区包括所述场氧化物区下面的浅部、相 邻于所述场氧化物区的第一边缘的第一深部和相邻于所述场氧化物区的第 二边缘的第二深部，所述深部比所述浅部更深地延伸进入衬底；

位于相邻于所述相邻于所述共形漂移区的第一深部的衬底的表面的第 一导电类型的体区；

相邻于所述体区内的衬底的表面形成的第二导电类型的源极区，所述源 极区通过沟道区与所述共形漂移区的第一深部分离；

覆盖所述沟道区的栅极电介质层和栅极；和

相邻于所述衬底的表面的第二导电类型的漏极区，至少一部分漏极区位 于所述共形漂移区的第二深部中。

5.根据权利要求4的横向DMOS器件，其中所述共形漂移区包括以不 同能量注入的一垂直系列的掺杂区。

6.根据权利要求5的横向DMOS器件，其中所述衬底中较深的掺杂区 的掺杂浓度比所述衬底中较浅掺杂区的掺杂浓度高。

7.根据权利要求4的横向DMOS器件，其中所述体区包括以不同能量 注入的一垂直系列的掺杂区。

8.根据权利要求7的横向DMOS器件，其中所述衬底中较深的掺杂区 的掺杂浓度比所述衬底中较浅掺杂区的掺杂浓度高。

9.根据权利要求4的横向DMOS器件，其中所述漏极区包括以不同能 量注入的一垂直系列的掺杂区。

10.根据权利要求9的横向DMOS器件，其中所述衬底中较深的掺杂 区的掺杂浓度比所述衬底中较浅掺杂区的掺杂浓度高。

11.根据权利要求4的横向DMOS器件，其中所述漏极区形成于所述 场氧化物层的中央开口中并且所述源极和体区横向围绕所述场氧化物层。

12.一种在第一导电类型的半导体衬底中形成的横向DMOS器件，所 述衬底不包括外延层，所述器件包括：

第二导电类型的漂移区，所述漂移区包括以不同能量注入的一垂直系列 的掺杂区；

位于相邻于所述衬底的表面并且相邻于所述漂移区的第一导电类型的 体区；

在所述体区内相邻于所述衬底的表面形成的第二导电类型的源极区，所 述源极区被沟道区与所述漂移区分离；

覆盖所述沟道区的栅极电介质层和栅极；和

位于相邻于所述衬底的表面并且被部分所述漂移区与沟道区分离的第 二导电类型的漏极区。