[发明专利]使用基准进行感测的存储器电路无效

专利信息
申请号: 200780028041.X 申请日: 2007-05-03
公开(公告)号: CN101496108A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 乔恩·S·乔伊;塔赫米那·阿克特尔 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆锦华;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 使用 基准 进行 存储器 电路
【权利要求书】:

1.一种存储器,包括:

多个存储器单元;

读出放大器,耦合到所述多个存储器单元中的至少一个;以及

基准电流生成器,被耦合用于生成所述读出放大器的基准电流, 所述基准电流生成器生成温度相关电流及温度无关电流,所述基准电 流生成器从所述温度相关电流和所述温度无关电流中生成所述基准电 流。

2.权利要求1所述的存储器,其中所述基准电流生成器包括:

耦合到所述基准电流生成器的电流调节器,所述电流调节器将所 述基准电流调节到预定的电流值。

3.权利要求1所述的存储器,其中相对于温度,所述基准电流的 温度系数与所述至少一个存储器单元的电流的温度系数大致相同。

4.权利要求1所述的存储器,其中所述基准电流生成器包括多个 可选择的温度相关电流源,用于生成所述温度相关电流。

5.权利要求4所述的存储器,其中温度相关电流相对于温度的电 流变化率取决于被选择的所述多个可选择的温度相关电流源的数目。

6.权利要求4所述的存储器,其中所述多个可选择的电流源包括 第一双极晶体管和具有不同于所述第一双极晶体管的面积的第二双极 晶体管。

7.权利要求1所述的存储器,其中所述温度相关电流相对于温度 的电流变化率与所述存储器单元的电流相对于温度的电流变化率大致 相同。

8.权利要求1所述的存储器,其中所述基准电流生成器包括多个 可选择的温度无关电流源,用于生成所述温度无关电流,其中所述温 度无关电流的水平取决于被选择的所述多个可选择的温度无关电流源 的数目。

9.权利要求8所述的存储器,其中所述可选择的温度无关电流源 包括带隙电流基准。

10.权利要求1所述的存储器,进一步包括耦合到所述电流调节 器的比较器,所述比较器将外部电流与所述基准电流进行比较。

11.一种用于生成存储器的基准电流的方法,包括:

生成温度相关电流,所述温度相关电流具有相对于温度的电流变 化率,所述电流变化率表示所述存储器的存储器单元电流相对于温度 的电流变化率;

生成温度无关电流;以及

将所述温度相关电流和所述温度无关电流组合,以生成由所述存 储器的读出放大器使用的基准电流。

12.权利要求11所述的方法,其中所述基准电流具有下述温度系 数,该温度系数与所述存储器单元电流的温度系数大致相同。

13.权利要求11所述的方法,进一步包括:

在提供由所述读出放大器使用的所述基准电流之前,将所述基准 电流调节到预定的电流值。

14.权利要求13所述的方法,进一步包括:

将衰减的基准电流与外部电流进行比较,以确定所述衰减的基准 电流是否与所述预定的电流值匹配。

15.权利要求11所述的方法,其中生成所述温度相关电流的步骤 包括:选择一个或多个可选择的温度相关电流源,以生成所述温度相 关电流。

16.权利要求11所述的方法,其中生成所述温度无关电流的步骤 包括:选择一个或多个可选择的温度无关电流源,以生成所述温度无 关电流。

17.权利要求11所述的方法,其中所述生成的基准电流不是由所 述存储器的基准存储器单元生成的。

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