[发明专利]具有共享公共参考的多个比特的灵敏放大器有效

专利信息
申请号: 200780029118.5 申请日: 2007-03-30
公开(公告)号: CN101529519A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: T·W·安德;B·J·佳尼;J·J·纳哈斯 申请(专利权)人: 艾沃思宾技术公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 屠长存
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 共享 公共 参考 比特 灵敏 放大器
【权利要求书】:

1.一种存储器电路,包括:

参考电压电路,所述参考电压电路包括:

第一晶体管,其具有耦合到第一电源端子的第一电流电极、 用于接收第一偏置电压的控制电极、和第二电流电极,其中所述 第一晶体管具有第一传导类型;

第二晶体管,其具有耦合到所述第一晶体管的所述第二电流 电极的第一电流电极、用于接收第二偏置电压的控制电极、和第 二电流电极,其中所述第二晶体管具有第二传导类型;

第三晶体管,其具有耦合到所述第一晶体管的所述第二电流 电极的第一电流电极、用于接收所述第二偏置电压的控制电极、 和第二电流电极,其中所述第三晶体管具有所述第二传导类型;

第一参考存储器单元,其具有耦合到所述第二晶体管的所述 第二电流电极的第一端子和耦合到第二电源端子的第二端子,其 中所述第一参考存储器单元被编程为第一逻辑状态:和

第二参考存储器单元,其具有耦合到所述第三晶体管的所述 第二电流电极的第一端子和耦合到所述第二电源端子的第二端 子,其中所述第二参考存储器单元被编程为第二逻辑状态;

第四晶体管,其具有耦合到所述第一电源端子的第一电流电极、 用于接收所述第一偏置电压的控制电极、和第二电流电极,其中所述 第四晶体管具有所述第一传导类型;

第五晶体管,其具有耦合到所述第四晶体管的所述第二电流电极 的第一电流电极、用于接收所述第二偏置电压的控制电极、和第二电 流电极,其中所述第五晶体管具有第二传导类型;

第一存储器单元,其具有耦合到所述第五晶体管的所述第二电流 电极的第一端子和耦合到所述第二电源端子的第二端子;

第六晶体管,其具有耦合到所述第一电源端子的第一电流电极、 用于接收所述第一偏置电压的控制电极、和第二电流电极,其中所述 第六晶体管具有所述第一传导类型;

第七晶体管,其具有耦合到所述第六晶体管的所述第二电流电极 的第一电流电极、用于接收所述第二偏置电压的控制电极、和第二电 流电极,其中所述第七晶体管具有所述第二传导类型;

第二存储器单元,其具有耦合到所述第七晶体管的所述第二电流 电极的第一端子和耦合到所述第二电源端子的第二端子;

第一比较器,其具有耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极 的第一输入、耦合到所述第四晶体管的所述第二电流电极的第二输 入、和与表示所述第一存储器单元的逻辑状态的信号对应的输出;和

第二比较器,其具有耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极 的第一输入、耦合到所述第六晶体管的所述第二电流电极的第二输 入、和与表示所述第二存储器单元的逻辑状态的信号对应的输出。

2.如权利要求1所述的存储器电路,其中所述第一传导类型是P 沟道并且所述第二传导类型是N沟道。

3.如权利要求1所述的存储器电路,进一步包括:

均衡装置,用于响应于均衡信号使所述第一、第四和第六晶体管 的所述第二电流电极均衡。

4.如权利要求1所述的存储器电路,其中所述第一晶体管具有 两倍于所述第四晶体管的增益。

5.如权利要求1所述的存储器电路,进一步包括第八晶体管, 其具有耦合到所述第一电源端子的第一电流电极、用于接收所述第一 偏置电压的控制电极、和耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极 的第二电流电极,其中所述第八晶体管具有所述第一传导类型。

6.如权利要求1所述的存储器电路,进一步包括:

第一预充电装置,用于响应于预充电信号将所述第一、第四和第 六晶体管的所述第二电流电极预充电到所述第一偏置电压;

第二预充电装置,用于将所述第二、第三、第五和第七晶体管的 所述第二电流电极预充电到第三偏置电压。

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