[发明专利]具有共享公共参考的多个比特的灵敏放大器有效

专利信息
申请号: 200780029118.5 申请日: 2007-03-30
公开(公告)号: CN101529519A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: T·W·安德;B·J·佳尼;J·J·纳哈斯 申请(专利权)人: 艾沃思宾技术公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 屠长存
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 共享 公共 参考 比特 灵敏 放大器
【说明书】:

技术领域

发明通常涉及灵敏放大器,并且更具体地,涉及一种多个比特 共享公共参考的灵敏放大器。

背景技术

感测具有至少两个不同电阻状态的存储器(诸如磁电阻 (magneto-resistive)RAM(MRAM))的状态,需要将平均信号(由 参考高比特和参考低比特形成)与比特单元信号比较。该比较导致一 个数据输出。典型地,MRAM模块的每个数据输出需要一对参考列 (一个用于参考高比特,另一个用于参考低比特)。针对每个数据输 出使用一对参考列增加了存储器面积。而且,每对参考列消耗功率, 因此增加了MRAM模块的功耗。

因此,需要一种多个比特共享公共参考的灵敏放大器。

附图说明

通过参考附图,可以更好地理解本发明,并且通过参考附图,其 许多目的、特征和优点对于本领域的技术人员是显而易见的。

图1是根据本发明的一个实施例的具有示例性电压参考电路的 示例性灵敏放大器的示意图;

图2是根据本发明的一个实施例的图1的灵敏放大器的示例性增 益级的示意图;

图3是根据本发明的一个实施例的具有示例性电压参考电路的 示例性灵敏放大器的示意图;

图4是根据本发明的一个实施例的具有示例性电压参考电路的 示例性灵敏放大器的示意图;

图5是根据本发明的一个实施例的具有示例性电压参考电路的 示例性灵敏放大器的示意图;

图6是根据本发明的一个实施例的具有示例性电压参考电路的 示例性灵敏放大器的示意图。

本领域的技术人员应认识到,出于简化和清楚的目的示出了图中 的元件,并且没有必要依比例绘制。例如,图中的某些元件的尺寸可 以相对于其他元件放大,以助于改善对本发明的实施例的理解。

具体实施方式

下文阐述了用于实行本发明的模式的详细描述。该描述说明了本 发明并且不应被当作限制。

作为非限制性示例,存储器电路包括灵敏放大器,其中将单个参 考信号与来自两个存储器单元的两个数据信号比较。该参考信号生成 自处于相反逻辑状态的存储器单元的组合。此外,数据信号电容与参 考信号电容匹配。通过匹配的电容,可以实现高速度和高灵敏度。

在一个方面,提供了一种包括参考电压电路的存储器电路。该参 考电压电路可以包括第一晶体管,该第一晶体管具有耦合到第一电源 端子的第一电流电极、用于接收第一偏置电压的控制电极、和第二电 流电极,其中第一晶体管具有第一传导类型。该参考电压电路可以进 一步包括第二晶体管,该第二晶体管具有耦合到第一晶体管的第二电 流电极的第一电流电极、用于接收第二偏置电压的控制电极、和第二 电流电极,其中第二晶体管具有第二传导类型。该参考电压电路可以 进一步包括第三晶体管,该第三晶体管具有耦合到第一晶体管的第二 电流电极的第一电流电极、用于接收第二偏置电压的控制电极、和第 二电流电极,其中第三晶体管具有第二传导类型。该参考电压电路可 以进一步包括第一参考存储器单元,该第一参考存储器单元具有耦合 到第二晶体管的第二电流电极的第一端子和耦合到第二电源端子的 第二端子,其中该第一参考存储器单元被编程为第一逻辑状态。该参 考电压电路可以进一步包括第二参考存储器单元,该第二参考存储器 单元具有耦合到第三晶体管的第二电流电极的第一端子和耦合到第 二电源端子的第二端子,其中该第二参考存储器单元被编程为第二逻 辑状态。

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