[发明专利]支撑基片的装置有效
申请号: | 200780029450.1 | 申请日: | 2007-08-06 |
公开(公告)号: | CN101501833A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 金起祚;朴瑩洙 | 申请(专利权)人: | 无尽电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 装置 | ||
1.一种支撑基片的装置,其包括:
非接触导向件,其向该基片提供气体以将该基片浮起预 先确定的距离;
升降部件,其支撑该非接触导向件,该升降部件在垂直 方向升高或降低该非接触导向件;
将该基片固定在上部的接触导向件,该接触导向件为环 形以围绕该非接触导向件并与该非接触导向件同心设置;和
转动部件,支撑和转动该接触导向件,
其中当该非接触导向件设为低于该接触导向件时,该接 触导向件支撑该基片,以及当该非接触导向件设为高于该接触 导向件时,该基片浮在该非接触导向件上,
其中该非接触导向件进一步包括在中间的流体供应口, 该流体供应口包括多个管道,以及该多个管道由绝缘材料绝 缘。
2.根据权利要求1所述的支撑基片的装置,其中该接触导向件包 括:
多个支撑销钉,其在该接触导向件的上表面上布置为环 形,该多个支撑销钉当该接触导向件支撑该基片时设为高于该 非接触导向件顶部,以及当该基片浮在该非接触导向件上方时 设为低于该非接触导向件,以及
多个导向销钉,在该接触导向件的上表面上布置在该多 个支撑销钉之外,该多个导向销钉与该基片的侧面接触以固定 该基片。
3.根据权利要求2所述的支撑基片的装置,其中该支撑销钉和该 导向销钉是分开的。
4.根据权利要求2所述的支撑基片的装置,其中该支撑销钉和该 导向销钉是一体的。
5.根据权利要求1所述的支撑基片的装置,其中该接触导向件包 括在其中间形成中空的环形支撑柱和与该支撑柱铰接的多个 夹具,在其上部具有连接件的每个夹具通过该上部的突出部紧 密粘附在基片边缘而夹持该基片,同时,利用当该接触导向件 转动时被离心力向该接触导向件中心相反的方向倾斜的该夹 具的下部来夹持该基片。
6.根据权利要求1所述的支撑基片的装置,其中该接触导向件包 括:
环形支撑柱,在其中间形成中空;
多个夹具,铰接在该支撑柱上并在该下部具有第一磁体;
多个第二磁体,与该第一磁体具有相同极性,该多个第 二磁体位于该支撑柱上与该夹具的下部对应的位置;和
圆柱体,结合该多个第二磁体以上下运动,
其中在其上部具有连接件的每个夹具通过该上部的突出 部紧密粘附在基片边缘而夹持该基片,同时,利用当设在该第 二磁体向上运动时被斥力向该接触导向件中心的反向倾斜的 该夹具的下部而夹持该基片。
7.根据权利要求1所述的支撑基片的装置,其中该非接触导向件 的多孔板包括一个或多个圆板,当包括两个或多个圆板时,这 两个或多个圆板的每个可具有不同的直径并且同心设置。
8.根据权利要求7所述的支撑基片的装置,其中该一个或多个圆 板具有多个相同尺寸的孔。
9.根据权利要求7所述的支撑基片的装置,其中所述两个或多个 圆板分别具有多个不同尺寸的孔。
10.根据权利要求8或9所述的支撑基片的装置,其中该多个孔直 径为1-1000μm。
11.根据权利要求10所述的支撑基片的装置,其中该一个或多个 圆板围绕该流体供应口的至少一部分。
12.根据权利要求1所述的支撑基片的装置,其中该流体供应口为 圆柱形。
13.根据权利要求1所述的支撑基片的装置,其中该基片支撑装置 包括同心布置的第一中空轴和第二中空轴,
其中该第一中空轴包含在该第二中空轴内,该第一中空 轴的直径小于该第二中空轴的直径,
其中该第一中空轴由升降部件在垂直方向上升或下降以 升高或降低该非接触导向件,该第一中空轴的下部连接到升降 部件且该第一中空轴的上部支撑该非接触导向件,以及
其中该第二中空轴由转动部件在水平方向转动以转动该 接触导向件,该第二中空轴的下部连接到该转动部件以及该第 二中空轴的上部支撑该接触导向件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造