[发明专利]支撑基片的装置

说明书

技术领域

本发明涉及支撑基片(如晶片、LCD、PDP等)的装置。具 体地，本发明涉及支撑基片的装置，其可有选择地凭借使用升降部 件升高或降低非接触导向件或使用转动部件转动接触导向件而处 理基片的前面和后面。

背景技术

为了制造半导体器件，需要用于制造基片从而在该基片上形 成半导体器件的工艺，并且在这种工艺中，重复执行沉积工艺和光 刻工艺等。为了在按照这种工艺制造半导体器件中获得高精度和高 成品率，基片的蚀刻和清洁非常重要，以及在执行这种工艺中，需 要支撑基片的装置。

通常，将一种湿工作台用作清洁装置，该工作台通过将基片 浸在浴缸中而利用其中的清洁材料清洁该基片上的残余物。然而， 这种湿工作台的缺点在于：在基片之间引入交叉污染，基片的两面 都被化学处理，引起蚀刻不一致，TAT(周转时间)大，以及不能 选择应当处理哪个表面。

装置的发展趋势是更大直径的基片和微型电路以便降低成 本，并且由于引入新材料以提供器件的性能、补偿成批设备的缺陷， 因此越来越广泛使用单晶片处理器。单晶片处理器的好处在于每个 设备可以选择应当处理哪个面，但是其缺点是必须分别装备用于处 理基片正面的处理器和用于处理基片背面的处理器。

图1和2说明用于支撑基片的装置，其可以处理基片上表面和 下表面。如图1所示，用于支撑基片的常规装置装备有卡盘(10)， 其上安装多个提供第一气体(惰性气体)的孔(32，40，42)，并 且该装置从形成在所述卡盘上的多个喷嘴提供该第一气体从而该 基片(A)浮于该卡盘以及同时设为可转动状况，并且从上面向转 动的基片(A)提供基片处理溶液，因此处理该基片的上表面。

在图1和2说明的传统的用于支撑基片的装置可通过利用惰 性气体浮起基片而进行正面和背面的处理；然而，其缺点在于它不 能进行双面的处理。

与此同时，传统的伯努利卡盘的问题在于，为了浮起基片， 其必须提供高压气体，这因此损坏该基片的高纵横比图案。此外， 它的问题在于在整个基片表面并没有形成一致的温度，所以基片边 缘的温度低于基片中心的温度，即其具有边缘冷却效应。

在图3至5中分别说明已经在传统的用于支撑基片的装置中 使用的机械卡盘、离心力卡盘和磁力卡盘。机械卡盘通过使用在其 上部的一个或多个销钉支撑该基片。离心力卡盘，其中具有S形夹 具，利用固定所述夹具的中间而凭借离心力来支撑基片。在磁力卡 盘中，将一个磁体贴在夹具的底部，该夹具的形式与该离心力卡盘 的完全相同，以及当该磁体自下而上升高时所产生的离心力支撑该 基片。然而，使用这些卡盘支撑基片的装置，可以处理基片的正面 和双面，但是基片的背面不能均一地处理。

发明内容

本发明的目的是提供一种支撑基片的装置，其可以有选择地 处理基片的正面、背面和双面。

本发明的另一目的是提供一种用于支撑基片的装置，其可 防止在处理基片的图案侧过程中基片的非图案例污染。

本发明又一目的是提供一种用于支撑基片的装置，其不需 要具有高密度气体以在基片非图案侧处理过程中浮起基片并且没 有边缘冷却效应。

附图说明

图1是按照常规技术的支撑基片的装置的剖视图，其同时处 理基片的上表面和下表面。

图2是图1所示的支撑基片的装置的卡盘(10)的俯视图。

图3是常规的机械卡盘的剖视图。

图4是常规的离心力卡盘的剖视图。

图5是常规的磁力卡盘的剖视图。

图6是按照本发明一个实施例的支撑基片的装置的剖视图。

图7是按照本发明一个实施例的接触导向件的俯视图。

图8是按照本发明一个实施例的非接触导向件的俯视图。

图9是描述图7的接触导向件结构的结构图。

图10是说明图7的接触导向件的上表面的立体图。

图11是图7的接触导向件转动体和下体的立体图。

图12是图8的非接触导向件的上表面的俯视图。

图13是图8的非接触导向件的下表面的俯视图。

图14是说明其上布置图8的多孔板的非接触导向件的俯视 图。

图15是图12的非接触导向件的流体供应口的立体图。