[发明专利]用于驱动微机电系统显示器的系统及方法无效
申请号: | 200780029703.5 | 申请日: | 2007-06-12 |
公开(公告)号: | CN101501750A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 杰弗里·B·桑普塞尔 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34;G02B26/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 驱动 微机 系统 显示器 方法 | ||
1.一种显示器装置,其包含:
MEMS显示器元件阵列;
至少一个测试偏转元件;以及
连接到所述测试偏转元件的偏转感测电路,所述偏转感测电路经配置以在不激活 所述测试偏转元件的情况下监视所述测试偏转元件的偏转,并基于所述偏转而提供 信号,所述信号表示影响所述MEMS显示器元件阵列的操作的一个或一个以上参 数。
2.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含连接到所述阵列及所述偏转感测电路的 驱动电路,所述驱动电路经配置以至少部分地基于从所述偏转感测电路传送的所述 信号而提供信号来驱动所述阵列。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述偏转感测电路位于所述驱动电路中。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述MEMS显示器元件阵列包括干涉式调制器阵 列,其中每一MEMS显示器元件包含干涉式调制器,所述干涉式调制器包含电极层、 偏转元件及由所述电极层与所述偏转元件界定的间隙,其中所述偏转元件响应于施 加于所述偏转元件与所述电极层之间的电压而在所述间隙内移动。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述测试偏转元件的偏转是影响所述MEMS显示 器元件阵列的操作的一个或一个以上参数的函数。
6.根据权利要求1所述的装置,其中指示影响所述MEMS显示器元件阵列的操作的一 个或一个以上参数的所述信号包含指示所述测试偏转元件的偏转的信号。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述测试偏转元件形成于衬底上。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述偏转感测电路经配置以通过监视所述测试偏 转元件与所述衬底之间的电容而监视所述测试偏转元件的偏转。
9.根据权利要求7所述的装置,其中所述偏转感测电路经配置以将大体上恒定的电压 施加于所述测试偏转元件与所述衬底之间。
10.根据权利要求7所述的装置,其中所述偏转感测电路经配置以将施加于所述测试偏 转元件与所述衬底之间的所述电压调整到第一电压,以使得所述测试偏转元件的偏 转与参考值大体上相同。
11.根据权利要求10所述的装置,其中指示影响所述MEMS显示器元件阵列的操作的 一个或一个以上参数的所述信号包含所述第一电压。
12.根据权利要求10所述的装置,其中当参考电压施加于所述测试偏转元件与所述衬 底之间且所述测试偏转元件处于参考温度时,所述测试偏转元件的偏转处于所述参 考值。
13.根据权利要求4所述的装置,其中所述测试偏转元件与所述干涉式调制器阵列的所 述偏转元件大体上相同。
14.根据权利要求4所述的装置,其中所述测试偏转元件的尺度大于所述干涉式调制器 阵列的所述偏转元件的尺度。
15.根据权利要求4所述的装置,其中所述测试偏转元件与所述干涉式调制器阵列的所 述偏转元件由大体上相同的材料制成。
16.根据权利要求4所述的装置,其中所述测试偏转元件与所述干涉式调制器阵列的所 述偏转元件由大体上相同的工艺形成。
17.根据权利要求4所述的装置,其中所述测试偏转元件与所述MEMS显示器元件阵列 的所述偏转元件大体上同时形成。
18.根据权利要求1所述的装置,其中所述测试偏转元件与所述干涉式调制器阵列形成 于共同衬底上。
19.根据权利要求1所述的装置,其中所述偏转感测电路经配置以连续地监视偏转。
20.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含:
显示器;
处理器,其经配置以与所述显示器通信,所述处理器经配置以处理图像数据;以 及
存储器装置,其经配置以与所述处理器通信。
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