[发明专利]使用前端预充电的存储器有效
申请号: | 200780031629.0 | 申请日: | 2007-07-06 |
公开(公告)号: | CN101542629A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | G·R·莫汉·拉奥 | 申请(专利权)人: | S.阿夸半导体有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 胜;杨红梅 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 前端 充电 存储器 | ||
1.一种存储器设备,包括:
按多个列和多个行布置的多个存储单元,其中,列中的每个存储 单元通过多个位线中的相应位线而彼此耦合;
可操作地耦合到所述多个位线的预充电选择电路;
耦合到所述多个位线的访问电路;以及
耦合到所述多个存储单元、所述预充电选择电路和所述访问电路 的控制电路,其中,所述控制电路被配置为:
接收用以对所述多个存储单元的第一子组执行第一访问 操作的第一访问命令;
由所述预充电选择电路对所述多个位线的子组发起选择 性预充电操作,其中,所述多个位线的所述子组被耦合到所述 多个存储单元的所述第一子组,其中,所述多个位线的所述子 组包括的位线少于所述多个位线,且其中,所述选择性预充电 操作导致所述多个位线的所述子组的预充电状态;
检查用于对所述多个存储单元的第二子组执行第二访问 操作的第二访问命令的接收,其中,所述多个位线的所述子组 耦合到所述多个存储单元的所述第二子组;以及
通过所述访问电路而便利于对所述存储单元的第二子组 的所述第二访问操作的执行,其中所述第二访问操作不同于所 述第一访问操作,且其中所述控制电路被进一步配置为在所述 多个位线的所述子组保持在所述预充电状态时便利于所述第 二访问操作的所述执行,其中所述预充电状态是由响应于所述 第一访问命令的接收而发起的所述选择性预充电操作导致的。
2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中:所述预充电选择电 路包含可操作地耦合到所述多个位线的所述子组的多个预充电选择 晶体管,且
所述预充电选择电路被配置为通过启动所述多个预充电选择晶 体管之一而对所述多个位线的所述子组进行选择性预充电。
3.根据权利要求1所述的存储器设备,其中:
所述多个存储单元中的每个存储单元包括预充电选择晶体管;且
所述预充电选择电路被配置为用于固定在所述预充电选择晶体 管的一个或多个端子上的预充电选择电压,以对所述多个位线的所述 子组进行选择性预充电。
4.根据权利要求3所述的存储器设备,其中:行中的每个存储单 元通过多个行线中的相应行线而彼此耦合;
所述多个存储单元中的每一个存储单元还包括被配置为对存储 电压电平进行存储的存储元件,且
所述多个存储单元中的每一个存储单元还被配置为在检测到相 应行线上的访问电压电平时将与所述存储电压电平对应的位电压驱 动至所述多个位线的所述子组中的相应位线上。
5.根据权利要求4所述的存储器设备,其中:所述多个存储单元 中的每个存储单元还包括选通晶体管,所述选通晶体管具有可操作地 耦合到相应位线的第一端子、可操作地耦合到相应行线的第二端子、 以及可操作地耦合到所述预充电选择晶体管的第三端子;且
所述预充电选择晶体管串联在所述多个存储单元中的每个存储 单元的所述选通晶体管和所述存储元件之间。
6.根据权利要求1所述的存储器设备,还包括列译码器,所述列 译码器配置为对由所述存储器设备接收到的标识符的列地址进行译 码;
其中所述标识符标识要被访问的存储单元子组;且
其中所述列译码器还配置为使用译码后的列地址向所述预充电 选择电路发信号通知要被选择性预充电的所述多个位线的所述子组。
7.根据权利要求6所述的存储器设备,其中:所述多个位线的所 述子组与所述多个列的至少一个子组相关联,且
所述列的子组包括要被访问的所述存储单元子组。
8.根据权利要求1所述的存储器设备,还包括多个预充电选择 线;其中
单个列中的每个存储单元经由所述多个预充电选择线中的相应 预充电选择线而耦合到所述预充电选择电路以及耦合到所述单个列 中的其它存储单元中的每一个,且
其中所述多个存储单元中的每一个被设置为基于在多个行的相 应行线上的行线电压电平的固定以及在所述多个预充电选择线中的 相应预充电选择线上的预充电选择电压电平的固定而启动。
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