[发明专利]涂敷、显影装置和涂敷、显影装置的控制方法及存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及涂敷、显影装置，涂敷、显影装置的控制方法和存储介质，该涂敷、显影装置对例如半导体晶片、LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行抗蚀液的涂敷处理和曝光后的显影处理。 

背景技术

在半导体器件、LCD基板等基板上涂敷抗蚀液，使用光掩模对其抗蚀膜进行曝光，并对其进行显影，由此在基板上制作所希望的抗蚀图，这一连串的处理使用在进行抗蚀液的涂敷和显影的涂敷、显影装置上连接有曝光装置的系统而被进行。 

涂敷、显影装置成一列地排列有载体站、对晶片进行抗蚀剂的涂敷及显影处理的处理站、和与曝光装置连接的接口站，该载体站载置晶片载体，并设置有与该晶片载体之间进行半导体晶片(以下，称作晶片)的交接的交接臂。 

而且，对形成有抗蚀图的基板进行规定的检查，例如进行抗蚀图的线宽、抗蚀图和基底图案的重合情况、以及显影缺陷等的检查，仅将判定为合格的基板搬送至下一工序。这样的检查大多通过与涂敷、显影装置另外地设置的独立的检查装置进行，但是采用在涂敷、显影装置内设置检查装置的在线系统更方便。 

于是，在专利文献1中记载了在载体站和处理站之间，设置有具备多个检查装置和搬送臂的检查站的结构。此处记载的系统从载体站经由检查站将基板搬送给处理站，将已完成处理的基板暂且送回载体站的载体内之后，从这里开始将基板搬送给检查站进行检查。 

图19表示实际构筑这样的系统的情况下的构成例。图19是平面地看到的涂敷、显影装置的概略图，11是载体站，12是检查站，13是处理站，14是与曝光装置连接的接口站。另外，20是载体，15是载体站11内的交接臂，16是检查站内的搬送臂。TRSa、TRSb、TRSc和 TRSd为交接模块，E1、E2和E3为检查模块，为了方便，这些模块在平面上被展开，例如交接模块由4段构成，检查模块由3段构成。 

在图中的涂敷、显影装置中，载体20内的晶片沿交接臂15→TRSa→搬送臂16→处理站13的路径被搬送。而且，晶片在处理站13内通过各模块进行抗蚀剂涂覆所需要的各种处理，然后从接口站14被搬送至曝光装置，再次返回到处理站13，通过模块进行显影处理所需要的各种处理。其后，晶片沿搬送臂16→TRSb→交接臂15→载体20返回。 

在此情况下，针对载体20内的晶片确定有被处理的顺序，例如，如果为25个收容用的晶片，则从1号分配至25号。而且，从1号起依次被搬送至处理站13，并依次移动预先确定的模块。处理站13内的搬送臂(主臂)在预先设定的一系列的模块之间依次进行循环移动，进行循环搬送，由此，晶片依次移动。而且，主臂通过两个臂进行交换模块内的晶片的动作。如果将主臂的搬送路径称作循环路径，则预先确定搬送臂绕循环路经一周的循环时间，并且，不进行后退的动作，和令序号大的晶片(后从载体20取出的晶片)越过序号小的晶片(先从载体20取出的晶片)加以搬送的动作。之所以禁止这样的动作，是因为搬送程序极其复杂，无法实现。而且，现在要求涂敷、显影装置每一小时处理150个，因此，上述的循环搬送的循环时间例如设定为3600秒/150个＝24秒。 

另一方面，返回到载体20的晶片的全部或被选择的晶片通过交接臂15被搬送至交接模块TRSc，然后通过搬送臂16被搬送至检查模块。而且，在晶片中，例如有仅进行检查模块E1的检查的晶片、仅进行检查模块E2的检查的晶片、仅进行检查模块E3的检查的晶片、接着检查模块E2进行检查模块E3的检查的晶片等。检查站12内的晶片搬送也采用与处理站13内的循环搬送相同的方式，与上述循环搬送同步进行。 

但是，当进行上述的搬送时，交接臂15的搬送工序数增多。即，在交接臂15将晶片搬送给检查站12的期间，不能进行向载体20的搬送，此外，在向载体20进行搬送的情况下，不能够进行向检查站12的搬送，因此，发生晶片不得不在各站中的模块上待机一个循环以上的状态，因此，成为妨碍生产能力提高的主要原因。 

另外，如上所述，检查模块E1～E3为用于进行各自不同的检查的模块，检查所需要的时间通常各自不同。因此，例如针对规定的晶片，如果设定为在检查模块E1中进行检查后接着在检查模块E2中进行检查，则当该晶片在检查模块E1中完成检查时，由于检查模块E2正对其他晶片进行检查，所以不能够向该检查模块E2搬送，不得不在检查模块E1上待机，直到检查模块E2的检查结束，因此，在该晶片在检查模块E1上待机的循环中，不能够将后续的晶片搬入该检查模块E1，结果是，存在导致生产能力下降的问题。