[发明专利]制造半导体基板中的垂直接触的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，所述集成电路包括一个具有第一侧和反 面的第二侧的半导体材料的基板，所述方法包括步骤：

在基板的第一侧上提供金属化层；

形成一个从基板的第一侧延伸到第二侧的通孔；以及

向通孔的侧壁提供导电层以形成一个与基板的第一侧上的金属化层 耦接的互连部分，其中在提供导电层之前先通过溅射蚀刻在通孔中形成 一个非晶硅层，导电层直接形成在非晶硅层上，并且导电层包括针对非 晶硅层的保护层；

所述保护层是直接形成在非晶硅层顶端沉积的镍层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在通孔的边缘处形成非晶硅层， 所述边缘与基板的第一侧相邻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中金属化层包括铝或铝合金。

4.根据权利要求1所述的方法，其中导电层还包括银层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中为基板提供多个导通孔，并且 将导电层延伸到基板的第二侧上，从而将各个通孔中的互连部分相互连 接起来。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将金属化层提供在一个电绝缘 层上。

7.一种集成电路，其包括一个具有第一侧和反面的第二侧的半导体 材料的基板，在所述第一侧上存在一个金属化层，而一个通孔的侧壁从 基板的第一侧延伸到第二侧，在所述侧壁上存在导电层以形成一个互连 部分，该互连部分与基板第一侧上的金属化层耦接，其中在通孔中通过 溅射蚀刻形成非晶硅层，导电层直接形成在非晶硅层上并且包括针对非 晶硅层的保护层；

所述保护层是直接形成在非晶硅层顶端沉积的镍层。

8.一种包括如权利要求7所述的集成电路和另一个与其附接的集成 电路的组件。