[发明专利]场效应异质结构晶体管

权利要求书

1.一种设备，包括：

场效应晶体管，包括：

第一半导体的区域；

位于第一半导体的区域上的第二半导体的层，该层和区域形成半导体异质结构；

位于该区域和该层其中之一上的源电极和漏电极；以及

置为控制该半导体异质结构的沟道部的电导率的栅电极，该沟道部位于该源电极和漏电极之间，该栅电极置为垂直地位于该沟道部的上方以及置为位于该源电极和漏电极的部分的上方。

2.如权利要求1所述的设备，其中该源电极和漏电极的材料扩散到该区域和该层的该其中之一的相邻部分中。

3.如权利要求2所述的设备，其中该源电极和漏电极包括金属，该金属扩散到该层和该区域其中之一中。

4.如权利要求2所述的设备，其中该场效应晶体管还包括位于该沟道部与该栅电极之间以及该栅电极与该源电极和漏电极的所述部分之间的电介质层。

5.如权利要求1所述的设备，其中该第一半导体和第二半导体包括镓和砷。

6.一种方法，包括：

提供半导体异质结构；

在该半导体异质结构上形成源电极和漏电极；

在该源电极和漏电极的部分的上方以及位于该源电极和漏电极之间的该半导体异质结构的部分的上方沉积电介质层；以及

形成垂直地位于介于该源电极和漏电极之间的该半导体异质结构的部分的上方以及垂直地位于该源电极和漏电极的部分的上方的栅电极。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

使导电材料从该源电极和漏电极扩散到该半导体异质结构中。

8.如权利要求6所述的方法，还包括：

在介于该源电极和漏电极之间的该半导体异质结构的所述部分上以及该源电极和漏电极的部分的上方形成电介质层，该栅电极置于该电介质层上；以及

使导电材料从该源电极和漏电极扩散到该半导体异质结构中。

9.如权利要求6所述的方法，其中提供半导体异质结构包括在第二半导体的区域的表面上外延生长第一半导体的层。

10.如权利要求9所述的方法，其中该第一和第二半导体包含镓和砷。