[发明专利]辐射系统和包括辐射系统的光刻设备有效
申请号: | 200780035599.0 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101583909A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | M·M·J·W·范赫彭;V·Y·拜尼恩;J·C·L·弗兰肯;O·W·V·弗吉恩斯;D·J·W·克朗德尔;N·M·德里森;W·A·索尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 系统 包括 光刻 设备 | ||
1.一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置,所述光学传感器装置包括:
光学传感器,所述光学传感器包括传感器表面;和
去除机构,所述去除机构构造用于从所述传感器表面去除碎片,
其中所述传感器表面包括可旋转板的表面部分,并且所述去除机构配置成从所述板的另一部分去除碎片。
2.根据权利要求1所述的光学传感器装置,其中所述光学传感器包括EUV敏感闪烁材料和探测器,所述探测器构造用于响应由入射的EUV辐射引起的闪烁探测从闪烁材料发射的光子能量。
3.根据权利要求1所述的光学传感器装置,其中所述板是EUV半透明板,并且所述EUV半透明板配置成有选择地透射来自EUV源的EUV辐射束的光谱范围。
4.根据权利要求1所述的光学传感器装置,其中所述板是EUV半透明板,并且所述EUV半透明板包括铌滤波器、锆/硅多层滤波器或锆/铌多层滤波器。
5.根据权利要求1所述的光学传感器装置,其中所述去除机构包括氢原子团供给系统。
6.根据权利要求1所述的光学传感器装置,其中所述传感器表面包括具有小于0.2的氢原子团再结合常数的盖层。
7.根据权利要求1所述的光学传感器装置,其中所述去除机构包括构造用于升高所述传感器表面温度的加热系统。
8.根据权利要求7所述的光学传感器装置,其中所述升高温度是至少900℃。
9.根据权利要求7所述的光学传感器装置,其中所述传感器表面由直立环绕的壁包围,并包括构造成加热所述壁的加热元件。
10.一种探测EUV辐射的方法,所述方法包括步骤:
将光学传感器的传感器表面暴露到产生EUV辐射的EUV源,以探测所述EUV辐射;和
使用去除机构从所述传感器表面去除碎片,
其中所述传感器表面包括可旋转板的表面部分,并且所述去除机构配置成从所述板的另一部分去除碎片。
11.根据权利要求10所述的方法,其还包括:
得到透射通过设置在所述传感器表面上的碎片层的辐射的辐射透射率;和
将所述透射率和辐射系统的污染程度相关联,
其中从所述传感器表面间断地去除所述碎片。
12.根据权利要求11所述的方法,其中透射通过所述碎片层的所述辐射是由所述EUV源传输的EUV辐射。
13.根据权利要求10所述的方法,其还包括:
从所述传感器表面连续地去除所述碎片,以提供沉积在所述传感器表面上的恒定量的碎片;和
计算入射在所述传感器表面上的EUV辐射能量。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述恒定量基本上等于零。
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