[发明专利]辐射系统和包括辐射系统的光刻设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种光学传感器装置和一种包括光学传感器装置的光刻设备。在实施例中，本发明涉及一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于形成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

用在EUV光刻中的辐射源通常除了产生EUV辐射之外，还会产生污染物材料，其对于光学元件和实施光刻过程的工作环境是有害的。对于通过放电产生的激光诱导的等离子体操作的EUV源尤其如此。因而，在EUV光刻中，期望限制光学系统的污染，所述光学系统配置成调节来自EUV源的辐射束。此外，期望的是能够监测积聚在EUV系统中的污染物的量。另一期望是能够监测由EUV源产生的EUV能量的量。

发明内容

根据本方面的一方面，提供一种用在极紫外光刻系统中的光学传感器装置，其包括具有传感器表面的光学传感器和构造用于从传感器表面去除碎片的去除机构。

根据本发明的一方面，提供一种探测EUV辐射的方法，包括将光学传感器的传感器表面暴露到产生EUV辐射的EUV源，以探测EUV辐射，并且从传感器表面去除碎片。

附图说明

下面仅通过示例，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中相应的附图标记表示相应的部件，在附图中：

图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；

图2示出本发明的实施例；

图3示出本发明的另一实施例；

图4示出显示EUV透射率和污染物程度之间的关系的曲线图；

图5示出本发明的另一实施例。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

照射系统(照射器)IL，其构造用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与构造用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与构造用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，其构造用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。