[发明专利]在晶片上的硅化物形成

权利要求书

1.一种在半导体晶片上选择性地形成硅化物的方法，该半导体晶片包括要在其上形成硅化物的一个或多个第一区域(A)以及不想在其上形成硅化物的一个或多个第二区域(B)，所述方法包括：

a)在所述晶片上沉积金属层(12)来覆盖所述第一和第二区域(A，B)；

b)施加掩模层(10，22)来覆盖所述金属层(12)；和

c)执行硅化工艺；

其中使所述掩模层(10，22)形成图案以使得仅在所述一个或多个第一区域中的金属层暴露于所述硅化工艺，接下来，在执行硅化工艺之前沉积非晶硅盖层(30，24)来覆盖第一和第二区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过干法蚀刻使所述掩模层(10)形成图案，并且在100-150℃的温度下沉积非晶硅盖层(30)。

3.如权利要求2所述的方法，其中在硅化工艺之后执行选择性蚀刻工艺，以便去除在所述一个或多个第二区域(B)上形成的不稳定硅化物或未反应的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中在施加所述掩模层(22)之前沉积电介质层(18)来覆盖所述金属层(12)，并且在去除电介质层(18)之前使所述掩模层(22)形成图案以暴露所述一个或多个第一区域(A)处的所述电介质层(18)。