[发明专利]采用法兰式结构的高频终端阻抗无效
申请号: | 200780036447.2 | 申请日: | 2007-11-07 |
公开(公告)号: | CN101523520A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | F·魏斯 | 申请(专利权)人: | 罗森伯格高频技术有限及两合公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C1/14;H01P1/26 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 沈英莹 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 法兰 结构 高频 终端 阻抗 | ||
1.一种高频终端阻抗,具有一法兰体(10)和一设置在所述法兰体上的平面的层结构(16、18、20),所述层结构在基片(12)的顶面(14)上具有一用于将高频能量转化成热的阻抗层(16)、一用于输送高频能量的输入印制导线(18)和一用于与所述法兰体(12)上的接地触点电连接的接地印制导线(20),其中所述输入印制导线(18)与所述阻抗层(16)的第一端电连接,所述接地印制导线(20)与所述阻抗层(16)的位于所述第一端对面的第二端电连接,所述基片(12)以一背离所述层结构(16、18、20)的支承面(22)贴靠在所述法兰体(10)上,
其特征在于,
所述法兰体(10)在所述基片(12)上的接地印制导线(20)所面向的第一边缘(24)在沿着平行于所述边缘(24)的方向的至少一个预定的区段上以及在沿着垂直于所述边缘(24)的方向的一个预定的区段上弯曲,从而所述法兰体(10)的弯曲区段(26)延伸到在由所述基片(12)的支承面(22)所规定的第一平面和由所述基片(12)的顶面(14)所规定的第二平面之间的空间中,其中所述基片(12)以一侧面(28)与所述法兰体(10)的弯曲区段(26)接触,所述侧面(28)使得所述基片(12)的支承面(22)与所述基片(12)的顶面(14)连接且面向在所述基片(12)的顶面(14)上的接地印制导线(20)。
2.如权利要求1所述的高频终端阻抗,其特征在于,所述法兰体(10)的弯曲区段(26)从所述第一平面突起直至至少伸到所述第二平面,或者突出于所述第二平面,从而所述法兰体(10)的弯曲区段(26)的至少一部分在与所述接地印制导线(20)相邻的第二平面延伸。
3.如前述权利要求中至少一项所述的高频终端阻抗,其特征在于,所述法兰体(10)的弯曲区段(26)沿着平行于所述第一边缘(24)的方向的长度至少等于所述基片(12)的宽度。
4.如前述权利要求中至少一项所述的高频终端阻抗,其特征在于,所述法兰体(10)上的弯曲区段(26)具有至少两个凸起部(34),这些凸起部的沿着平行于所述法兰体(10)的第一边缘(24)的方向的间距等于所述基片(12)的宽度,且这些凸起部延伸到在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中。
5.如前述权利要求中至少一项所述的高频终端阻抗,其特征在于,所述弯曲区段(26)与第一平面在面向所述基片(12)的侧面上夹成90°角。
6.如权利要求1至4中至少一项所述的高频终端阻抗,其特征在于,所述弯曲区段(26)与第一平面在面向所述基片(12)的侧面上夹成小于90°的、特别是为86°至80°的角度。
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