[发明专利]采用法兰式结构的高频终端阻抗无效

专利信息
申请号: 200780036447.2 申请日: 2007-11-07
公开(公告)号: CN101523520A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: F·魏斯 申请(专利权)人: 罗森伯格高频技术有限及两合公司
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00;H01C1/14;H01P1/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 沈英莹
地址: 德国弗*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 采用 法兰 结构 高频 终端 阻抗
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种根据权利要求1的前序部分的高频终端阻抗,具有法兰体和设置在法兰体上的平面的层结构,该层结构在基片的顶面上具有一用于将高频能量转化成热的阻抗层、一用于输送高频能量的输入印制导线和一用于与法兰体上的接地触点电连接的接地印制导线,其中输入印制导线与阻抗层的第一端电连接,接地印制导线与阻抗层的位于第一端对面的第二端电连接,基片以背离层结构的支承面贴靠在法兰体上。

背景技术

采用法兰式结构的宽带的高频终端阻抗用于引出高损耗线。已知的是,在基片上设有阻抗结构,该基片设置在法兰体上,法兰体形成接地触点。为了产生阻抗结构与法兰体的接地触点的电连接,在此需要形成围绕基片的边缘环绕接触,或者设有用于接地的基片通孔敷镀。然而两者都比较繁琐且成本高昂。

发明内容

本发明的目的在于,在结构和制造方面对上述类型的高频终端阻抗加以改善,同时高频终端阻抗的电特性不会恶化,而是相反得到改善。

根据本发明,所述目的通过具有权利要求1的特征部分的特征的上述类型的高频终端阻抗得以实现。有利的发明改进在其它权利要求中说明。

对于上述类型的高频终端阻抗而言,根据本发明提出,法兰体在基片上的接地印制导线所面向的第一边缘在沿着平行于该边缘的方向的至少一个预定的区段上以及在沿着垂直于该边缘的方向的一个预定的区段上弯曲,从而法兰体的弯曲区段延伸到在由基片的支承面所规定的第一平面和由基片顶面所规定的第二平面之间的空间中,其中基片以一个使得基片的支承面与基片的顶面连接且在基片顶面上的接地印制导线所面向的侧面与法兰体的弯曲区段接触。

这具有如下优点,即为了产生在接地印制导线和法兰体上的接地触点之间的电接触,无需围绕基片侧面进行成本高昂的边缘环绕接触,而是该电接触可以在其上设有基片上的接地印制导线的第二平面、即基片顶面上以简单的方式通过接地印制导线与法兰体的弯曲区段的电连接来产生。

在接地印制导线和法兰体弯曲区段之间特别简单地产生的电接触通过如下措施来实现,即法兰体弯曲区段从第一平面突起直至至少伸到第二平面,或者突出于该第二平面,从而法兰体弯曲区段的至少一部分延伸至与接地印制导线相邻的第二平面。

合乎目的的是,法兰体弯曲区段沿着平行于第一边缘的方向的长度至少等于基片宽度。

由于法兰体上的弯曲区段具有至少两个凸起部,这些凸起部的沿着平行于法兰体第一边缘的方向的间距等于基片宽度,且这些凸起部从突出部分延伸到在第一平面和第二平面之间的空间中,所以实现了对基片的两侧接触,其在基片与法兰体固定之前已经将基片的在法兰体上的位置固定。

合乎目的的是,弯曲区段与第一平面在面向基片的侧面上夹成90°角。

为了确保弯曲区段与基片接触,弯曲区段与第一平面在面向基片的侧面上夹成大于90°的、特别是为86°至80°的角度。

附图说明

下面对照附图详细说明本发明。图中示出:

图1为本发明的高频终端阻抗的一种优选的实施方式的俯视图;

图2为根据图1的高频终端阻抗的侧视图;

图3为本发明的高频终端阻抗的法兰体的俯视图;

图4为根据图3的法兰体的侧视图;

图5详细示出图4的Z部分;和

图6为根据图3的法兰体的展开视图。

具体实施方式

在图1和2中所示的本发明的采用法兰式结构的高频终端阻抗的优选实施方式包括一法兰体10,在法兰体10上设置一基片12。在基片12的顶面14上设置一层结构,该层结构具有:用于将高频能量转化成热的阻抗层16;用于输送高频能量的输入印制导线18;和用于与法兰体10上的接地触点电连接的接地印制导线20。输入印制导线18与阻抗层16的第一端电连接。接地印制导线20与阻抗层16的位于第一端对面的第二端电连接。基片12以背离层结构16、18、20的支承面22贴靠在法兰体10上。

法兰体10具有一边缘24,其中具有设置于其上的层结构16、18、20的基片12以如下方式设置在法兰体10上,即:使得接地印制导线20面向边缘24。

基片12的支承面22规定为第一平面,基片12的顶面14规定为第二平面。

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