[发明专利]光刻设备和器件制造方法

权利要求书

1.一种构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的光刻设 备，所述设备包括：

第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括二次电 子发射表面，所述二次电子发射表面构造成接收辐射流和发射由于接收所 述辐射流而产生的二次电子，从辐射传播的方向看，所述第一辐射剂量探 测器位于所述第二辐射剂量探测器的上游；和

计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的 所述二次电子发射导致的电流或电压。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备的光学部件位于所述第 一和第二辐射剂量探测器之间。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其包括数据处理器，所述数据处 理器构造成比较所述计量表的测量结果，以探测由所述辐射剂量探测器接 收到的辐射的变化。

4.根据前面权利要求中任何一项所述的设备，其中所述二次电子发射 表面还构造成接收污染物，其中所述发射表面优选地构造成同时接收辐射 流和污染物。

5.一种光刻设备，例如根据前面权利要求中任何一项所述的设备，其 中所述设备构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，所述设备 包括：

辐射剂量探测器，所述辐射剂量探测器基本上对所述设备运行过程中 容易污染所述探测器的污染物不敏感，所述探测器包括二次电子发射表 面，所述二次电子发射表面构造成接收辐射流，并且也接收污染物，还发 射由于接收辐射流而产生的二次电子，所述表面基本上由污染物或由具有 与所述污染物的二次电子发射类似的二次电子发射的材料形成；和

计量表，其连接到所述表面，以探测由所述二次电子发射导致的电流 或电压。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述表面是光学部件的表面。

7.根据前面权利要求5或6中任何一项所述的设备，其中所述污染物 是碳、锡、锡氧化物、锌、锌氧化物、锰、锰氧化物、钨、钨氧化物或它 们的任何组合。

8.一种构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的光刻设 备，例如根据前面权利要求中任何一项所述的设备，所述设备包括：

辐射剂量探测器，所述辐射剂量探测器对在所述设备运行过程中容易 污染所述探测器的污染物敏感，所述探测器包括二次电子发射表面，所述 二次电子发射表面构造成接收辐射流，并且也接收污染物，还发射由于接 收辐射流而产生的二次电子，所述探测器定位成在运行过程中接收从所述 衬底散发的污染物；和

计量表，其连接到所述探测器表面，用以探测所述二次电子发射导致 的电流或电压。

9.根据权利要求8所述的设备，其包括：构造成将图案化的辐射束投 影到所述衬底上的投影系统；和构造成在所述衬底和所述投影系统之间提 供气体幕帘的气体簇射装置，其中所述探测器位于所述衬底和所述投影系 统之间、在气体幕帘内、所述气体幕帘和所述衬底之间或所述气体幕帘和 所述投影系统之间。

10.根据前面权利要求中任何一项所述的设备，其还包括清洁系统，所 述清洁系统构造成从所述探测器表面去除污染物。

11.一种构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的光刻设 备，例如根据前面权利要求中任何一项所述的设备，所述设备包括：

刻蚀探测器，所述刻蚀探测器包括具有二次电子发射表面的探测器主 体，所述表面构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次 电子，其中所述探测器主体的成分在垂直于所述表面的方向上变化；

计量表，其连接到所述探测器主体，用以探测由所述二次电子发射导 致的电流或电压；和

数据处理器，所述数据处理器构造成通过所述计量表的所述测量结果 探测所述探测器的刻蚀。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述探测器主体包括由不同材 料形成的不同层、具有渐变成分的至少一个(按成分的)分级层、不同的 分级层、至少一个厚度为大约1nm或更少的层或它们的任意组合。