[发明专利]光刻设备和器件制造方法无效
申请号: | 200780037966.0 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101523293A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | M·M·J·W·范赫彭;V·Y·班尼恩;J·P·H·德卡斯特尔;J·H·J·莫尔斯;L·H·J·斯蒂文斯;B·T·沃尔斯克里基恩;Y·V·塞德尔尼科;M·H·L·范德威尔登;W·A·索尔;K·杰里森;T·斯蒂恩 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司;卡尔蔡斯SMT股份公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
本发明涉及一种设备和一种用于制造器件的方法。
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上 的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情 况下,可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于形成在 所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如, 硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常,图案的转移是通过利用投影系统把图案成像到提供到衬底上的辐射 敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常,单独的衬底将包含被连续形成图 案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓步进机,在所述步 进机中,通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部 分;以及所谓扫描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描” 方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬 底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的 方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
通过例如碳在光刻投影设备中的光学部件上形成的分子污染(例如在 EUV光刻投影设备中的掠入射和多层反射镜)可能是问题。例如,在EUV 光刻投影设备中反射元件的污染可能是由于EUV照射产生的电子和碳氢 化合物的存在而引起的。还一问题可能是怎样监测来自源的辐射剂量和聚 集在光学部件上的污染物的量。
提供一种光刻投影设备,其中位于脉冲辐射束内的物体(例如光学元 件)具有在其附近的电极以及连接到所述电极或所述物体的电压源。所述 源可以相对于所述电极提供例如负电压脉冲到所述物体。所述辐射束和来 自电压源的电压脉冲可以同相设置或异相设置。在这种方法中,将物体与 由辐射束产生的二次电子屏蔽隔离。提供构造成测量电极中由二次电子产 生的电流的测量装置。来自源的辐射的剂量和聚集在主体上的污染物的量 可以通过测量来自所述主体的电子流进行监测。收集到的二次电子的量可 以用作对应辐射剂量和污染物量的量值。利用连接到所述电极或所述物体 的电流测量装置可以容易地确定测量结果。
本发明的一个或更多个实施例包括改进的光刻设备,其中污染物可以 以相对简单的方式精确地探测。
根据实施例,提供一种光刻设备,其构造成将图案化的辐射束投影到 衬底的目标部分上,所述设备包括:
第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器,每个探测器包括构造成 接收辐射流和发射由于接收辐射流而产生的二次电子的二次电子发射表 面,从辐射传播的方向看,第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探 测器的下游;和
计量表,连接到每个探测器,用以探测由来自各个电子发射表面的二 次电子发射导致的电流或电压。
例如,所述设备的光学部件可以位于所述第一和所述第二辐射剂量探 测器之间。
优选地,所述设备包括数据处理器,其构造成比较所述计量表的测量 结果,以探测由所述辐射剂量探测器接收到的辐射的变化。
根据实施例,所述二次电子发射表面也可以构造成接收污染物,其中 所述发射表面优选地构造成同时接收辐射流和污染物。
根据实施例,提供一种光刻设备,其构造成将图案化的辐射束投影到 衬底的目标部分上,所述设备包括:
辐射剂量探测器,其基本上对在所述设备运行过程中容易污染所述探 测器的污染物不敏感,所述探测器包括二次电子发射表面,其构造成接收 辐射流,并且其也接收污染物,还发射由于接收辐射流而产生的二次电子, 所述表面基本上由污染物或由具有与所述污染物的二次电子发射类似的 二次电子发射的材料形成;和
计量表,连接到所述表面,以探测由所述二次电子发射导致的电流或 电压。
例如,所述表面可以是光学部件的表面。
此外,根据实施例,所述污染物可以是碳、锡、锡氧化物、锌、锌氧 化物、锰、锰氧化物、钨、钨氧化物或它们的任何组合。
根据实施例,提供一种光刻设备,其构造成将图案化的辐射束投影到 衬底的目标部分上,所述设备包括:
辐射剂量探测器,其对在所述设备运行过程中容易污染所述探测器的 污染物敏感,所述探测器包括二次电子发射表面,其构造成接收辐射流, 并且也接收污染物,还发射由于接收辐射流而产生的二次电子,所述探测 器定位成在运行过程中接收从所述衬底散发的污染物;和
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