[发明专利]清洁方法、设备和清洁系统

权利要求书

1.一种用以清洁设备的一个或多个光学元件的方法，所述设备构建成将辐射束投影到衬底的目标部分上，并且包括按序列排列在所述辐射束路径上的多个光学元件，其中所述方法包括步骤：

使用比所述序列中第一光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段清洁所述序列中的第二光学元件，其中所述第二光学元件在所述设备运行过程中接收第二辐射剂量，所述第一光学元件在所述设备运行过程中接收第一辐射剂量，所述第二辐射剂量低于所述第一辐射剂量；

其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

使用辐射损失探测器探测通过一个或多个所述光学元件的辐射的辐射损失，

其中，在所探测的辐射损失达到特定量的辐射损失的情况下，自动地启动清洁周期以清洁至少一个所述光学元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沿所述辐射束的路径看，所述第二光学元件位于所述第一光学元件的下游。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供辐射剂量信息，所述信息包括或涉及在所述设备运行过程中所述第二光学元件接收的辐射量；和

提供用于清洁所述第二光学元件的清洁周期，使得有关所述第二光学元件的清洁周期的长度与所述第二光学元件的所述辐射剂量信息相互关联。

4.根据权利要求1所述的方法，包括在所述设备的运行周期之间应用不同的清洁周期，其中在一个或多个所述清洁周期内仅清洁所述第一光学元件，而不清洁所述第二光学元件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述设备包括构建成将图案形成装置保持在所述辐射束路径中的图案形成装置位置处的支撑结构，其中在所述辐射束的传播方向上看，所述第一光学元件位于所述图案形成装置位置的上游，并且所述第二光学元件位于所述图案形成装置位置的下游。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光学元件接收第一辐射剂量的EUV辐射，并且所述第二光学元件接收第二辐射剂量的EUV辐射。

7.一种利用光刻装置制造器件的方法，包括：

使用光学元件序列将辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述光学元件接收不同的辐射剂量，并且所述光学元件的污染速率与所述辐射剂量相互关联；

执行多个清洁周期以清洁至少一个所述光学元件，每个清洁周期包括基于所述光学元件接收的辐射剂量清洁所述序列的光学元件，使得已接收低辐射剂量的光学元件相对于已接收比低辐射剂量高的辐射剂量的光学元件，在更短的时间周期内或以更低的频率进行清洁；

其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

使用辐射损失探测器探测通过一个或多个所述光学元件的辐射的辐射损失，

其中，在所探测的辐射损失达到特定量的辐射损失的情况下，自动地启动清洁周期以清洁至少一个所述光学元件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述光学元件序列的第二光学元件的清洁频率比所述光学元件序列的第一光学元件的清洁频率低至少10倍，所述第二光学元件是光刻设备的用于投影辐射束的投影系统的一部分，所述第一光学元件是所述光刻设备的照射器的一部分。

9.一种光刻设备，包括：

照射系统，其构建成调节辐射束；

支撑结构，其构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；

衬底台，其构造成保持衬底；

投影系统，其构建成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和

清洁系统，其构建成清洁所述设备的一个或多个光学元件，所述清洁系统构建成在比所述照射系统的光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段内清洁所述投影系统的光学元件；

所述清洁系统还包括或耦合到：

探测通过一个或多个所述光学元件的辐射的辐射损失的辐射损失探测器，

其中所述清洁系统在所探测的辐射损失达到特定量的辐射损失的情况下，自动地启动清洁周期以清洁至少一个所述光学元件。