[发明专利]清洁方法、设备和清洁系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种清洁方法、一种设备和一种清洁系统。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

在设备运行过程中光学元件表面(例如在极紫外(EUV)光刻设备中)会经历污染物生长(例如碳化物)。这样的污染物可能会由光学表面的环境引入(例如，真空环境、抗蚀剂、辐射源等)。在EUV光刻设备中，通常多层反射镜提供这些光学表面。为了去除这些污染物，需要清洁这些光学部件。清洁方法的示例是基于在光学路径上用由例如热丝产生的原子氢清洁反射镜。

发明内容

根据实施例，提供一种用以清洁设备的一个或更多个光学元件的方法，所述设备构建成将辐射束投影到衬底的目标部分上，并包括按序列设置在辐射束路径上的多个光学元件，其中所述方法包括使用比所述序列中第一光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段清洁所述序列中的第二光学元件，所述第二光学元件在所述设备运行过程中接收第二辐射剂量，所述第一光学元件在所述设备运行过程中接收第一辐射剂量，所述第二辐射剂量低于所述第一辐射剂量。

根据实施例，提供一种器件制造方法，包括：

使用光学元件的序列将辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述光学元件接收不同的辐射剂量，并且所述光学元件的污染速率与所述辐射剂量相互关联；

执行多个清洁周期以清洁至少一个所述光学元件，每个清洁周期包括基于所述光学元件接收的辐射剂量清洁所述光学元件序列，使得已接收低辐射剂量的光学元件相对于已接收比低辐射剂量高的辐射剂量的光学元件，在更短的时间周期内或以更低的频率进行清洁。

根据实施例，提供一种设备，包括：

照射系统，其构建成调节辐射束；

支撑结构，其构建成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；

衬底台，其构建成保持衬底；

投影系统，其构建成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和

清洁系统，其构建成清洁所述设备的一个或更多个光学元件，所述清洁系统构建成在比所述照射系统的光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段内清洁所述投影系统的光学元件。

根据实施例，提供一种适于清洁设备的一个或更多个光学元件的清洁系统，所述光学元件设置在由所述设备执行的处理过程中用到的辐射束的路径中，其中所述清洁系统构建成依赖于所述处理过程中这些元件中的每一个接收到的辐射量，仅清洁设置在所述辐射束路径中的一个或几个所述光学元件。

附图说明

下面仅通过例子，结合附图对本发明的实施例进行描述，其中相应的附图标记表示相应的部件，在附图中：

图1示出光刻设备的实施例；

图2示意地示出光学元件序列和清洁系统的一部分的实施例；

图3示意地示出清洁方法的实施例的流程图；和

图4示意地示出清洁方法的另一实施例的流程图。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。图2显示了其中另一实施例。所述光刻设备包括：

照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束PB(例如，紫外(UV)，特别地，实质上包括极紫外(EUV)辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，其配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

衬底台(例如晶片台)WT，其配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和