[发明专利]一种塑料/特氟纶-硅接合膜及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200780038100.1 申请日: 2007-10-11
公开(公告)号: CN101535440A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 宋昇昊;元裕德;李学敏 申请(专利权)人: 善祐AMC株式会社
主分类号: C09J183/04 分类号: C09J183/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 谢顺星
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 一种 塑料 特氟纶 接合 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及塑料/特氟纶-硅接合膜及其制造方法。特别涉及通过等离子体处理,在塑料或特氟纶基材表面上产生反应性作用基,并在硅橡胶上添加能够与所述反应性作用基进行化学结合的硅烷偶联剂,从而提高所述塑料或特氟纶基材与硅橡胶间结合强度的塑料/特氟纶-硅接合膜及其制造方法。

背景技术

硅橡胶具有优秀的耐热性及介电性等特性,并具有橡胶特有的弹性,因此被广泛用做各种电子产品的密封垫(Gasket)等。

但是这种硅橡胶由于硅特有的离型性,因此不仅很难将硅橡胶接合到其他材料,还因其弹性滞后性(elastic hysteresis),进行重复作业时存在尺寸不稳定的问题。

为了解决上述问题,以往技术通过使用接合剂或涂布有粘合剂的胶带来接合聚酯膜等塑料基材(substrate)和硅橡胶,以此来试图克服上述问题,但由于硅橡胶和胶带是物理结合的,因此如果受到热等外冲击,依然会很容易剥离。

而且,由于硅橡胶具有优秀的耐热性、介电性等特性,并具有橡胶特有的弹性,多用于LCD及PDP面板制造中作为接合所述面板和柔性印刷电路(Flexible Printed Circuit,FPC)的接合片(bonging sheet)来使用。

但是,作为这种接合片使用的硅橡胶具有硅特有的离型性,并且具有较弱的表面粘合性,使得各异向性导电膜(anisotropic conductingfilm,ACF)连接面板和柔性印刷电路粘附在橡胶表面时,会形成一些不良的产品。

为了改善这一问题,以往技术采用了离型性优秀的特氟纶膜(Teflonfilm),但这种特氟纶膜具有严重的热变形性,使用寿命较短,因此通常把离型性优秀的特氟纶膜设置在下面,而把耐热性及弹性优异的硅橡胶设置在上面,分别作为独立供给的接合片使用。

为了解决以往技术中存在的问题,本发明的发明人经过反复研究,确认了若通过等离子体对塑料或特氟纶基材表面进行处理而产生反应性作用基后,将含有可同所述反应性作用基进行化学结合的硅烷偶联剂的液态硅橡胶(LSR,Liquid Silicone Rubber)涂布于所述塑料或特氟纶基材上并将其硬化,就可以大幅增加所述塑料或特氟纶基材和硅橡胶间的结合强度,并基于上述认识提出了本发明。

发明内容

为了解决上述的常规技术中存在的问题,发明人研究发现,通过等离子体对塑料或特氟纶基材表面进行处理而产生反应性作用基后,将含有可同所述反应性作用基进行化学结合的硅烷偶联剂的液态硅橡胶(LSR,Liquid Silicone Rubber)涂布于所述塑料或特氟纶基材上并将其硬化,可大幅增加所述塑料或特氟纶基材和硅橡胶间的结合强度。

本发明的目的是提供一种能够大幅增加塑料或特氟纶基材与硅橡胶间结合强度的塑料/特氟纶-硅接合膜。

本发明的另一个目的是提供一种制造所述塑料/特氟纶-硅接合膜的方法。

为达到上述目的,本发明提供一种塑料/特氟纶-硅接合膜,其包括:通过等离子体处理,在表面上产生反应性作用基的塑料或特氟纶基材;可与所述反应性作用基进行化学结合的硅烷偶联剂;及包含所述硅烷偶联剂,并涂布于所述塑料或特氟纶基材的硅橡胶。

本发明还提供一种塑料/特氟纶-硅接合膜的制造方法,其包括以下步骤:

i)通过等离子体处理,在塑料或特氟纶基材表面上产生反应性作用基;及

ii)将含有可同所述反应性作用基进行化学结合的硅烷偶联剂的液态硅橡胶涂布于所述塑料或特氟纶基材表面并将其硬化。

下面,按步骤详细说明本发明。

i)通过等离子体处理,在塑料或特氟纶基材表面上产生反应性作用基。

在本步骤中,为了提高塑料或特氟纶基材与涂布于所述基材上并被硬化的液态硅橡胶间的结合强度,对所述塑料或特氟纶基材表面进行等离子体处理。通过所述等离子体处理,所述塑料或特氟纶基材表面上产生反应性作用基,而所述反应性作用基可为含氧的反应性作用基,如-OH、-OOH、-COOH、-C-O-、-C=O、-O-C-O-等。

所述等离子体处理可以按照常规方法进行,但为了在塑料或特氟纶基材表面上产生有效的反应性作用基,优选在等于或低于1×10-3托(torr)压力下进行。这是因为,若在高于所述压力的条件下进行等离子体处理,因杂质而可能会导致电弧放电(arc discharge),或者由于散射而会导致所产生反应性作用基密度下降的问题。

在所述等离子体处理时,无需特别限制注入离子枪(ion gun)的氧气和氩气含量,但所使用氧气和氩气重量比优选为1:1至4:1。

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