[发明专利]低折射率被膜形成用涂布液、其制造方法及防反射材料有效

专利信息
申请号: 200780038139.3 申请日: 2007-10-11
公开(公告)号: CN101522839A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 谷好浩;元山贤一 申请(专利权)人: 日产化学工业株式会社
主分类号: C09D183/08 分类号: C09D183/08;C09D5/00;C09D7/12;C09D183/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 冯 雅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 折射率 形成 用涂布液 制造 方法 反射 材料
【权利要求书】:

1.一种低折射率被膜形成用涂布液,其特征在于,含有聚硅氧烷(A) 和碳数9~20的长链胺化合物(B),通过将它们溶解于有机溶剂(C)而成, 所述聚硅氧烷(A)具有结合有含氟有机基团的硅原子;

含有将聚硅氧烷(A)所具有的硅原子的总量换算成二氧化硅为0.1~15 质量%的聚硅氧烷(A),以及相对于聚硅氧烷(A)的硅原子的总量1摩尔为 0.01~0.2摩尔的长链胺化合物(B);

有机溶剂(C)由选自碳数1~6的醇及碳数3~10的乙二醇醚的至少1 种构成。

2.如权利要求1所述的涂布液,其特征在于,聚硅氧烷(A)具有相对 于其全部硅原子为5~40摩尔%的结合有含氟有机基团的硅原子。

3.如权利要求1或2所述的涂布液,其特征在于,长链胺化合物(B) 是直链状的脂肪族伯胺或仲胺,或是具有脂环结构的脂肪族胺。

4.如权利要求1或2所述的涂布液,其特征在于,还含有以式(1)表 示的硅化合物(D),

式中,R1、R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1~5的饱和烃基, n表示2以上的整数。

5.一种低折射率被膜,其特征在于,将权利要求1~4中任一项所述 的涂布液加热固化而得。

6.一种防反射材料,其特征在于,将权利要求5所述的低折射率被膜 形成于具有更高的折射率的基材的表面上而得。

7.一种低折射率被膜形成用涂布液的制造方法,其特征在于,包括将 下述烷氧基硅烷溶液在相对于所述烷氧基硅烷的全部烷氧基1摩尔为 0.2~2摩尔的草酸的存在下缩聚,得到聚硅氧烷(A)的溶液的工序;以及将 碳数9~20的长链胺化合物(B)和有机溶剂(C)的混合溶液与所得聚硅氧烷 (A)的溶液混合的工序;

所述烷氧基硅烷溶液是烷氧基硅烷的浓度以所述烷氧基硅烷的全部硅 原子换算成二氧化硅计为有机溶剂中的4~15质量%的溶液;

所述烷氧基硅烷是含有5~40摩尔%的具有结合有含氟有机基团的硅 原子的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷;

所述涂布液是含有将聚硅氧烷(A)所具有的硅原子的总量换算成二氧 化硅为0.1~15质量%的聚硅氧烷(A),以及相对于聚硅氧烷(A)的硅原子 的总量1摩尔为0.01~0.2摩尔的长链胺化合物(B)的涂布液;

有机溶剂(C)由选自碳数1~6的醇及碳数3~10的乙二醇醚的至少1 种构成;

所述有机溶剂为醇类或乙二醇醚类。

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