[发明专利]化学抵抗性半导体处理室本体

权利要求书

1.一种处理室本体，该处理器本体使得半导体处理设备至少部分 装设在该处理室本体内，该半导体处理装置被配置为使用流体 对基板进行处理，该处理室本体包含：

用来形成该处理室本体的基底材料，该处理室本体由至 少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义，以能够 捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体，该基底材 料是金属的；

位于该基底材料上并覆盖该基底材料的底层涂层材料， 该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分，该金属组分用以 与该基底材料整体粘合；及

位于该底层涂层材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层 材料，该主涂层材料由非金属组分定义，该主涂层材料的非金 属组分定义了与该底层涂层材料的整体粘合，该主涂层材料被 定义为完全覆盖在该底层涂层的所有金属组分上。

2.根据权利要求1所述的处理室本体，其中该主涂层材料隔绝该 底层涂层的金属组分及该金属基底材料与该捕获的溢出的流 体的元素间的反应。

3.根据权利要求2所述的处理室本体，其中该隔绝是由该主涂层 材料的惰性塑料特性定义的。

4.根据权利要求1所述的处理室本体，其中该主涂层材料具有大 约90(Rockwell R)或75(Shore D)之间的硬度系数。

5.根据权利要求4所述的处理室本体，其中该硬度系数提供了该 主涂层材料的可机械加工的表面。

6.根据权利要求1所述的处理室本体，其中该底层涂层包含的组 分包括钛、铝、硅、碳、氯、氧和氟。

7.根据权利要求1所述的处理室本体，其中该主涂层包含的组分 包括碳、氯和氟。

8.根据权利要求1所述的处理室本体，其中该处理室本体大约 60英寸长，21英寸宽。

9.根据权利要求1所述的处理室本体，其中该处理室本体是由多 个处理室本体元件组装起来的。

10.一种制造处理室本体的方法，该处理室本体被用于至少部分容 纳半导体处理设备，并被用于捕获基板处理产生的任意溢出的 流体，该方法包括：

(a)使用基底材料形成该处理室本体，该处理室本体由至 少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义，以能够 捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体，该基底材 料是金属的；

(b)针对底层涂层材料对该处理室本体进行预处理以促成 对该底层涂层材料的稳定粘合表面；

(c)将该底层涂层材料涂装在该基底材料上并覆盖该基底 材料，该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分，该金属组 分能够与该基底材料形成粘合；

(d)固化该底层涂层材料至一个在尺寸上稳定的硬度；

(e)针对主涂层材料对该处理室本体进行预处理以促成对 该主涂层材料的稳定粘合表面；

(f)将该主涂层材料涂装在该底层涂层材料上并覆盖该底 层涂层材料，该主涂层材料由非金属组分定义，该主涂层材料 的非金属组分能够与该底层涂层材料形成整体粘合，该主涂层 材料完全覆盖该底层涂层；及

(g)固化该主涂层材料至一个在尺寸上稳定的硬度，

其中该固化好的主涂层材料隔绝该底层涂层的该金属组 分与该捕获的溢出的流体的元素之间的反应。

11.根据权利要求10所述的制造处理室本体的方法，其中该隔绝 是由该主涂层材料的惰性塑料特性定义的。

12.根据权利要求10所述的制造处理室本体的方法，其中该主涂 层材料被固化为具有大约90(Rockwell R)或75(Shore D)的硬 度系数

13.根据权利要求10所述的制造处理室本体的方法，还包括以下 步骤：

从该处理室本体的参考数据表面去除多余的主涂层材 料，使半导体基板处理设备的安装在合适的误差内；其中该去 除多余的主涂层材料不影响该主涂层材料的化学抵抗性。