[发明专利]化学抵抗性半导体处理室本体

说明书

技术领域

[0001]本发明大体上有关于半导体处理设备，尤其是，有关于 半导体处理液的限制以及减少来自处理液的可对该处理容器发生 作用的潜在污染源。

背景技术

[0002]在半导体处理领域中，处理设备会将基板暴露于各种高 活性的处理液中。处理液的活性可能导致基板的污染和产量的下 降。为了容纳处理液，使用处理液的处理设备会放置于非活性 (non-reactive)塑料制造的处理室本体内。使用非活性塑料使得在处 理室本体在暴露于处理液中时，处理室本体可以最小化污染源。尽 管塑料能够减少可能的污染源，但是用塑料制成的处理室本体可能 不像用金属制成的处理室本体那样坚固。然而，使用金属的处理室 本体会增加污染基板的可能性，如果该金属本体暴露于处理液中的 话。考虑到前述原因，有必要提供一种坚固的、非活性的处理室本 体。

发明内容

[0003]在一个实施方式中，揭示了一种处理室本体，该处理器 本体使得半导体处理设备至少部分装设在该处理室本体内，该半导 体处理装置被配置为使用流体对基板进行处理。该处理器本体包含 用来形成该处理室本体的基底材料，该处理室本体由至少一个下表 面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义，以能够捕获该处理室本 体上方的基板处理期间溢出的流体。另外，该基底材料是金属的。 该处理器本体还有位于该基底材料上并覆盖该基底材料的底层涂 层材料。该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分，该金属组分 用以与该基底材料整体粘合。该处理室本体还包括位于该底层涂层 材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层材料。该主涂层材料由非金 属组分定义，该主涂层材料的非金属组分定义了与该底层涂层材料 的整体粘合。该主涂层材料被定义为完全覆盖在该底层涂层的所有 金属组分上。

[0004]在另一个实施方式中，揭露了一种制造处理室本体的方 法，该处理室本体被用于至少部分容纳半导体处理设备，并被用于 捕获基板处理产生的溢出的流体。该方法开始于使用基底材料形成 该处理室本体。处理室本体具有至少一个下表面和与该下表面一体 连接的侧壁表面。该下表面和侧壁表面能够捕获该处理室本体上方 的基板处理期间溢出的流体，该基底材料是金属的。接下来该方法 针对底层涂层材料对该处理室本体进行预处理以促成对该底层涂 层材料的稳定粘合表面。下一步，将该底层涂层材料涂装在该基底 材料上并覆盖该基底材料。该底层涂层材料具有金属组分和非金属 组分，该金属组分能够与该基底材料形成粘合。下一步，固化该底 层涂层材料至一个在尺寸上稳定的硬度，接下来，针对主涂层材料 对该处理室本体进行预处理以促成对该主涂层材料的稳定粘合表 面。接下来该方法将该主涂层材料涂装在该底层涂层材料上并覆盖 该底层涂层材料。该主涂层材料由非金属组分定义，该主涂层材料 的非金属组分能够与该底层涂层材料形成整体粘合，该主涂层材料 完全覆盖在该底层涂层。该方法完成于固化该主涂层材料至一个在 尺寸上稳定的硬度，其中该固化好的主涂层材料隔绝该底层涂层的 该金属组分与该捕获的溢出的流体的元素之间的反应。

[0005]在本发明的另一个实施方式中，揭露了一种使用处理液 对半导体基板进行处理的器件。该器件包含一个定义半导体处理单 元的外壳，该半导体处理单元包括框架系统以及与该框架系统耦合 的处理室本体。该处理室本体由基底材料制成。该处理室本体由至 少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义。该下表面和 侧壁表面能够捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体， 该基底材料是金属的。该处理室本体还有位于该基底材料上并覆盖 该基底材料的底层涂层材料。该底层涂层材料具有金属组分和非金 属组分，该金属组分用以与该基底材料整体粘合。该处理室本体还 有位于该底层涂层材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层材料。该 主涂层材料由非金属组分定义，该非金属组分定义了与该底层涂层 材料的整体粘合，该主涂层材料完全覆盖在该底层涂层的所有金属 组分上。该用于对半导体基板进行处理的器件还包括至少部分容纳 于该处理室本体的半导体处理设备以及用于控制外壳内环境的系 统。该用于对半导体基板进行处理的设备还包括用于储存和供应到 半导体处理设备的处理液的系统以及用于控制和监视该半导体处 理设备的系统。

附图说明

[0006]参考下面的描述，并结合附图，可以理解本发明及其优 点。

[0007]图1是，根据本发明的实施方式，处理半导体基板的系统 的高层视图的简图。