[发明专利]非易失性存储器中的经分割的软编程

权利要求书

1.一种软编程非易失性存储器的方法，其中所述非易失性存储器包括一串位于第一选 择栅极和第二选择栅极之间的至少两个串联耦合的非易失性存储元件，且其中每一 非易失性存储元件连接到一字线，所述方法包含：

将第一电压施加到所述第一选择栅极及将第二电压施加到所述第二选择栅极， 所述第二电压大于所述第一电压；

将软编程电压施加到所述非易失性存储元件的第一子组，同时抑制软编程所述 非易失性存储元件的第二子组，其中所述抑制软编程所述非易失性存储元件的所述 第二子组包括将第三电压施加到所述第二子组中的每一非易失性存储元件，所述第 三电压：(i)等于所述第一电压或所述第二电压；或(ii)大于所述第一电压且小 于所述第二电压；

将所述软编程电压施加到所述第二子组，同时抑制软编程所述第一子组，其中 所述抑制软编程所述第一子组包括将所述第三电压施加到所述第一子组中的每一 非易失性存储元件；

验证在将所述软编程电压施加到所述第一子组及将所述软编程电压施加到所 述第二子组之后所述一串非易失性存储元件是否已经软编程；及

如果所述一串非易失性存储元件未验证为已经软编程，则重复将所述软编程电 压施加到所述第一子组及将所述软编程电压施加到所述第二子组中的至少一者；

其中所述第一子组包括连接到字线WL2i的非易失性存储元件，其中i是一整 数，且其中连接到字线WL0的非易失性存储元件是所述串的邻近于所述第一选择 栅极的端部存储元件；且

其中所述第二子组包括连接到字线WL2i+1的非易失性存储元件，其中i是一 整数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述重复包含：

重复所述将所述软编程电压施加到所述第一子组，及所述将所述软编程电压施加 到所述第二子组，直到所述一串非易失性存储元件验证为已经软编程为止。

3.根据权利要求2所述的方法，其中验证所述一串非易失性存储元件是否已经软编程 包含：

同时验证所述第一子组是否已经软编程及所述第二子组是否已经软编程。

4.根据权利要求1所述的方法，其中验证所述一串非易失性存储元件是否已经软编程 包含：

验证所述第一子组是否已经软编程，而排除验证所述第二子组；及

验证所述第二子组是否已经软编程，而排除验证所述第一子组。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

验证所述第一子组是否已经软编程而排除验证所述第二子组包括将验证电压施 加到所述第一子组中的每一存储元件，及将大于所述验证电压的电压施加到所述第 二子组中的每一存储元件；及

验证所述第二子组是否已经软编程而排除验证所述第一子组包括将所述验证电 压施加到所述第二子组中的每一存储元件，及将所述大于所述验证电压的电压施加 到所述第一子组中的每一存储元件。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述重复包含：

如果所述第二子组验证为已经软编程且所述第一子组未验证为已经软编程，则重 复所述将所述软编程电压施加到所述第一子组；

如果所述第一子组验证为已经软编程且所述第二子组未验证为已经软编程，则重 复所述将所述软编程电压施加到所述第二子组；及

如果所述第一子组及所述第二子组未验证为已经软编程，则重复所述将所述软编 程电压施加到所述第一子组及所述将所述软编程电压施加到所述第二子组。