[发明专利]石英保护环

权利要求书

1.一种在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成包 括：

上部电极；

背衬构件，该背衬构件可贴附于该上部电极的上表面； 以及

外环，其围绕该背衬构件的外部表面并位于该上部电极 的上表面之上。

2.根据权利要求1所述的总成，其中；(a)该外环由石英组成；

(b)该背衬构件由铝或铝合金组成；(c)该上部电极由单晶 硅组成；和/或(d)该上部电极包括内部电极和外部电极。

3.根据权利要求2所述的总成，其中该外部电极包括多个段，形 成外部电极环以及在该多个段的每个的分界面处具有重叠表 面。

4.根据权利要求1所述的总成，其中：(a)该背衬构件包括内部 背衬构件和外部背衬构件；(b)粘合材料将该上部电极的上表 面贴附到该背衬构件；和/或(c)该上部电极由单晶硅组成。

5.根据权利要求1所述的总成，其中该外环具有矩形截面。

6.根据权利要求1所述的总成，其中该外环具有内缘，其包括上 部垂直表面和下部倾斜表面。

7.根据权利要求1所述的总成，其中该外环的下表面在该上部电 极的上表面的外面延伸。

8.根据权利要求7所述的总成，其中：(a)该外环具有大体上矩 形截面；(b)该背衬构件由铝或铝合金组成；该电极由单晶硅 组成；和/或(d)该外环由石英组成。

9.一种在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成的 保护环，其中该电极总成包括粘结到背衬构件的喷头电极和围 绕该电极总成的限制环总成，该保护环包括：

保护环，配置为安装在该背衬构件的外缘和该限制环总 成的内缘之间，该保护环具有适于覆盖在该上部电极的上表面 的下表面。

10.根据权利要求9所述的保护环，其中该保护环由石英组成，并 且可选地在其内缘上包括涂层。

11.一种使保护环以电极总成的背衬构件为中心的方法，其中该背 衬构件粘结到在半导体基片处理等离子反应室中生成等离子 的电极，该方法包括：

将该保护环围绕该背衬构件的外部表面设置，从而该保 护环的下表面覆盖该上部电极的上表面。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括将该电极总成安装 在该等离子室中。

13.一种在包括权利要求1的电极总成的等离子室中处理半导体 基片的方法，包括：

将半导体基片支撑在该等离子室的下部电极上，该下部 电极由间隙与该上部电极隔开；

将工艺气体提供进入该间隙并且将该工艺气体激励为等 离子；和

利用该等离子处理该半导体基片。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该等离子由等离子限制环 总成限制在该间隙中，并且在该处理期间，该外环保持该电极 总成和该等离子限制环总成之间预先确定的距离。

15.根据权利要求13所述的方法，其中该外环防止该等离子攻击 该背衬构件和该上部电极之间的粘合剂。

16.根据权利要求13所述的方法，其中该处理包括等离子蚀刻。

17.根据权利要求13所述的方法，其中在该处理期间，将RF偏 压施加到该半导体基片。

18.根据权利要求13所述的方法，其中在该处理期间，该外环以 与该等离子限制环总成的限制环相同的速率热膨胀。

19.根据权利要求14所述的方法，其中该外环和该等离子限制环 总成的限制环由石英组成。