[发明专利]使用介电层封装器件的方法有效

专利信息
申请号: 200780039557.4 申请日: 2007-10-05
公开(公告)号: CN101530012A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: M·A·曼格鲁姆;K·R·布尔克 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H05K3/30 分类号: H05K3/30
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 申发振
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 使用 介电层 封装 器件 方法
【权利要求书】:

1.一种封装器件的方法,包含以下步骤:

在第一器件的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂,并且保留第一器件的第一主表面被暴露;

在第一器件的第一主表面上方形成第一介电层;

形成侧面接触接口,所述侧面接触接口至少有一部分在第一介电层上方;

切割所述密封剂从而形成所述密封剂的多个侧面;以及

沿着所述多个侧面中的第一侧面去除所述密封剂的一部分从而沿着所述多个侧面的所述第一侧面暴露所述侧面接触接口的一部分。

2.根据权利要求1的方法,进一步包含以下步骤:

在形成密封剂的步骤之前将带敷设到第一主表面;以及

在形成第一介电层的步骤之前去除所述带。

3.根据权利要求1的方法,进一步包含以下步骤:

在形成第一介电层的步骤之后,在第一介电层中形成到第一器件的第一接触部的第一通路;

其中形成侧面接触接口的步骤的特征进一步在于:所述侧面接触接口在第一通路和所述多个侧面的第一侧面之间包含第一互连。

4.根据权利要求3的方法,其中形成侧面接触接口的步骤的特征进一步在于:所述侧面接触接口还在所述互连和所述多个侧面的第一侧面之间包含第二器件。

5.根据权利要求4的方法,其中形成侧面接触接口的步骤的特征进一步在于:

形成在第二器件的第一接触部和所述第一互连之间穿过第一介 电层的第二通路。

6.根据权利要求4的方法,其中形成侧面接触接口的步骤的特征进一步在于:第二器件形成在第一介电层上方。

7.根据权利要求4的方法,其中形成第一介电层的步骤的特征进一步在于:所述第一介电层形成在第二器件上方。

8.根据权利要求1的方法,其中形成密封剂的步骤的特征进一步在于:所述密封剂是基于环氧的和热固性的。

9.根据权利要求1的方法,其中形成第一介电层的步骤的特征进一步在于:所述第一介电层是聚合物电介质。

10.一种封装器件的方法,包含以下步骤:

将带敷设到第一器件的第一主表面;

形成密封剂以提供处理第一器件的物理支撑,所述密封剂在第一器件的第二主表面上方并且围绕第一器件的侧面;

在形成所述密封剂之后从第一主表面上去除所述带;

在第一器件的第一主表面上方淀积第一介电层,所述第一介电层是聚合物电介质;

形成侧面接触接口,所述侧面接触接口至少有一部分在第一介电层上方;

切割所述密封剂从而形成所述密封剂的多个侧面;以及

沿着所述多个侧面中的第一侧面去除所述密封剂的一部分从而沿着所述多个侧面的所述第一侧面暴露所述侧面接触接口的一部分。

11.根据权利要求10的方法,其中敷设带的步骤的特征进一步在于:第一器件具有接触部,该方法进一步包含以下步骤: 

刻蚀穿过第一介电层的通孔;以及

在所述通孔中形成导体作为通路,其中所述通路接触所述侧面接触接口和第一器件的所述接触部。

12.根据权利要求11的方法,其中形成侧面接触接口的步骤的特征进一步在于:所述侧面接触接口包含连接在所述通路和所述多个侧面的第一侧面之间的第二器件。

13.根据权利要求12的方法,其中去除所述密封剂的一部分的步骤的特征进一步在于:暴露第二器件的接触部。

14.根据权利要求10的方法,其中:

形成侧面接触接口的步骤的特征进一步在于:所述侧面接触接口包含延伸到第一侧面的互连层;以及

去除所述密封剂的一部分的步骤的特征进一步在于:暴露所述互连层的端部。

15.根据权利要求10的方法,进一步包含:在所述侧面接触接口上方形成第二介电层。

16.根据权利要求10的方法,其中将带敷设到第一器件的第一主表面的步骤的特征进一步在于:第一器件是半导体管芯。

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