[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 200780039846.4 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101528632A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 岛田武司;田路和也 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 文 琦;陈 波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 及其 制备 方法 | ||
1.一种BaTiO3的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷 组合物的制备方法，该方法包括：
制备含有半导体掺杂物R为稀土元素中的至少一种的 (BaR)TiO3煅烧粉末的BT煅烧粉末的步骤；
制备含有(BiNa)TiO3煅烧粉末的BNT煅烧粉末的步骤；
混合所述BT煅烧粉末和所述BNT煅烧粉末，从而制备 混合煅烧粉末的步骤；以及
成形并烧结所述混合煅烧粉末的步骤；
其中，将BaCO3和/或TiO2以所述BT煅烧粉末以及 BaCO3和/或TiO2的总量作为100摩尔％时，BaCO3和/或TiO2 的添加量为使得BaCO3的量为至多30摩尔％，并且TiO2的 量为至多30摩尔％的方式添加到所述BT煅烧粉末、或所述 BNT煅烧粉末、或所述BT煅烧粉末和所述BNT煅烧粉末 的混合煅烧粉末中，通过烧结，形成组成式由 [(BiNa)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3表示，其中x和y分别满足0＜x≤ 0.3和0＜y≤0.02的半导体陶瓷组合物。
2.如权利要求1所述的半导体陶瓷组合物的制备方法， 其中在制备所述BT煅烧粉末的步骤中，煅烧温度不低于 1000℃。
3.如权利要求1或2所述的半导体陶瓷组合物的制备方 法，其中在制备所述BNT煅烧粉末的步骤中，煅烧温度为 700℃至950℃。
4.如权利要求1或2所述的半导体陶瓷组合物的制备方 法，其中在制备所述BT煅烧粉末的步骤、或制备所述BNT 煅烧粉末的步骤、或两个所述步骤中，在煅烧之前添加3.0 摩尔％或更少的氧化硅和4.0摩尔％或更少的碳酸钙或氧化 钙。
5.如权利要求1或2所述的半导体陶瓷组合物的制备方 法，其中在混合所述BT煅烧粉末和所述BNT煅烧粉末从而 制备所述混合的煅烧粉末的步骤中，添加3.0摩尔％或更少 的氧化硅和4.0摩尔％或更少的碳酸钙或氧化钙。
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