[发明专利]受应力的场效晶体管以及其制造方法

权利要求书

1.一种受应力的场效晶体管(40)，包括：

硅衬底(44)；

栅极绝缘体(54)，覆于该硅衬底上；

栅电极(62)，覆于该栅极绝缘体上；

信道区域(68)，在该硅衬底中且位于该栅电极下方；

第一嵌入硅锗区域(76)，具有第一厚度且接触该信道区域；以及

第二嵌入硅锗区域(82)，具有大于该第一厚度的第二厚度且与该信道区域分隔开。

2.如权利要求1所述的受应力的场效晶体管，其中，该第一嵌入硅锗区域(76)包括未掺杂的外延生长硅锗层。

3.如权利要求2所述的受应力的场效晶体管，其中，该第二嵌入硅锗区域(82)包括杂质掺杂的外延生长硅锗层。

4.一种用于制造受应力的场效晶体管(40)的方法，该受应力的场效晶体管包含单晶硅衬底(44)，该方法包括下列步骤：

沉积与图案化覆于该硅衬底上的多晶硅层(58)，以形成栅电极(62)，该栅电极确定位于该硅衬底中该栅电极下方的信道区域(68)；

沉积第一层的间隔件形成材料(70)覆于该栅电极上；

非等向性蚀刻该第一层以于该栅电极上形成第一侧壁间隔件(72)；

使用该栅电极与该侧壁间隔件作为蚀刻掩膜来蚀刻第一凹槽(74)至该硅衬底中；

在该第一凹槽中外延生长第一嵌入硅锗层(76)；

在该第一侧壁间隔件上形成第二侧壁间隔件(78)；

使用该栅电极与该第二侧壁间隔件作为蚀刻掩膜来蚀刻第二凹槽(80)至该硅衬底中；

在该第二凹槽中外延生长第二嵌入硅锗层(82)；以及

形成电性接触件(96、97、98)至该栅电极及至该第二嵌入硅锗层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，外延生长第一嵌入硅锗层(76)的该步骤包括外延生长第一未掺杂的嵌入硅锗层的步骤，以及其中，外延生长第二嵌入硅锗层(82)的该步骤包括外延生长杂质掺杂的嵌入硅锗层的步骤。

6.如权利要求4所述的方法，其中，外延生长第一嵌入硅锗层(76)的步骤包括外延生成接触该信道区域的第一嵌入硅锗层的步骤。

7.如权利要求6所述的方法，其中，外延生长第二嵌入硅锗层(82)的步骤包括外延生长与该信道区域分隔开的嵌入硅锗层的步骤。

8.如权利要求4所述的方法，其中，外延生长第一嵌入硅锗层(76)的步骤包括外延生长具有第一厚度的第一嵌入硅锗层的步骤，以及其中，外延生长第二嵌入硅锗层(82)的步骤包括外延生长具有第二厚度的第二嵌入硅锗层的步骤，该第二厚度大于该第一厚度。

9.一种用于制造受应力的场效晶体管(40、140)的方法，包括下列步骤：

形成绝缘体上硅衬底(42)，该衬底包括位于硅衬底(48)上的绝缘体层(46)上的硅层(44)；

形成栅电极(62)覆于该硅层上；

外延生长第一未掺杂硅锗层(76、182)，该第一未掺杂硅锗层嵌入至该硅层中且对齐该栅电极；

外延生长第二杂质掺杂硅锗层(82、176)，该第二杂质掺杂硅锗层嵌入至该硅层中且与该栅电极分隔开。

10.如权利要求9所述的方法，其中，外延生长第一未掺杂硅锗层(182)的步骤包括外延生长嵌入至该硅层与该第二杂质掺杂硅锗层(176)的一部分中的第一未掺杂硅锗层的步骤。