[发明专利]半导体电子部件及使用该部件的半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及叠层芯片型的半导体电子部件及使用该部件的半导体装 置。更详细地，本发明涉及能够对应于半导体集成电路的高密度化要求 的半导体电子部件及使用该部件的半导体装置。

背景技术

近年来，随着电子器械的高功能化及小型化的要求，半导体集成电 路的高密度安装技术的开发得到不断推进。作为该安装技术之一，可举 出以正面向下的方式在半导体芯片上安装其他的半导体芯片的叠层芯片 型的系统级封装(System-In-Package，SIP)。该结构，由于能够获得薄型 化封装并且在电连接的可靠性方面优异而受到瞩目。

在叠层芯片型SiP中，通常，半导体芯片之间的连接，以介有微细 凸块的倒晶封装芯片方式进行。此时，为了确保电连接强度及机械连接 强度，在半导体芯片之间注入密封树脂(底部填充密封(underfill))。

但是，在该底部填充密封工序中，会发生下述问题：半导体芯片之 间注入的密封树脂溢出而污染下层的半导体芯片表面上设置的外部电 极，不能进行引线接合。因此，上层的半导体芯片的侧面与下层的半导 体芯片上设置的外部电极之间的距离需设置为空出约1.5mm左右。另外， 为了在半导体芯片间注入粘合剂，芯片间隙需至少设置为空出40μm左 右，因而，妨碍了半导体集成电路的高密度安装。

另一方面，已知有介有各向异性导电膜而一并进行半导体芯片间的 电连接及密封的方法。例如，JP特开昭61-276873号公报(专利文献1) 中，记载有一种含有焊锡粒子的粘合带。在该文献中记载有一种方法， 其通过使该粘合带介于部件之间并进行热压粘合，使两部件的电连接部 之间介有焊锡粒子，并在其他部分上填充树脂成分。另外，JP特许第 3769688号公报(专利文献2)中，记载了一种端子间的连接方法，其使 用含有导电性粒子和在该导电性粒子的熔点下不会完成固化的树脂成分 的导电性粘合剂。

但是，通过上述任何方法，也不能在叠层芯片型SiP中实现半导体 集成电路的进一步的高密度化。

发明内容

在该情形下，希望开发出能够对应于半导体集成电路的进一步高密 度化要求的叠层芯片型半导体电子部件及半导体装置。

本发明人等，针对上述现有技术中的问题进行了锐意研究，其结果 是，成功地将粘合膜熔融时树脂成分的溢出控制在最小限度而一并进行 半导体芯片之间的电连接及密封。由此，能够得到可对应于进一步高密 度化要求的叠层芯片型的半导体电子部件及半导体装置。

即，本发明，提供下述的半导体电子部件及使用该半导体电子部件 的半导体装置。

(1)一种半导体电子部件，其是具有第一半导体芯片和第二半导体 芯片的叠层芯片型半导体电子部件，所述第一半导体芯片具有设置了第 一内部电极和第一外部电极的电路表面，所述第二半导体芯片具有设置 了与上述第一内部电极电连接的第二内部电极的电路表面，且上述第一 半导体芯片的电路表面与上述第二半导体芯片的电路表面相对向设置而 成，

其特征在于，在上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的 间隙中填充绝缘性树脂，

上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的间隔距离为50μ m以下，

上述第二半导体芯片侧面与上述第一外部电极之间的最短间隔距离 为1mm以下。

(2)一种半导体电子部件，其是具有第一半导体芯片和第二半导体 芯片的叠层芯片型半导体电子部件，所述第一半导体芯片具有设置了第 一内部电极和第一外部电极的电路表面，所述第二半导体芯片具有设置 了与上述第一内部电极电连接的第二内部电极的电路表面，且上述第一 半导体芯片的电路表面与上述第二半导体芯片的电路表面相对向设置而 成，

其特征在于，在上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的 间隙中填充有绝缘性树脂，

上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的间隔距离为25μ m以下，

上述第二半导体芯片侧面与上述第一外部电极之间的最短间隔距离 为1mm以下。

(3)上述(1)或(2)所述的半导体电子部件，其中，相邻接的上 述第一内部电极之间的最短间隔距离为50μm以下。

(4)上述(1)～(3)中任一项所述的半导体电子部件，其中，上 述第二半导体芯片设置在上述第一半导体芯片大致中央区域上。