[发明专利]半导体陶瓷组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种制备BaTiO₃的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物的方法，该方法包括：

制备Ba(TiM)O₃煅烧粉末(其中M为半导体掺杂物)的步骤；

制备(BiNa)TiO₃煅烧粉末的步骤；

混合所述Ba(TiM)O₃煅烧粉末和所述(BiNa)TiO₃煅烧粉末的步骤；以及

成形并烧结所述混合的煅烧粉末的步骤。

2.如权利要求1所述的制备半导体陶瓷组合物的方法，其中在制备所述Ba(TiM)O₃煅烧粉末的步骤中，煅烧温度为900℃至1300℃。

3.如权利要求1所述的制备半导体陶瓷组合物的方法，其中在制备所述(BiNa)TiO₃煅烧粉末的步骤中，煅烧温度为700℃至950℃。

4.如权利要求1所述的制备半导体陶瓷组合物的方法，其中在混合所述Ba(TiM)O₃煅烧粉末和所述(BiNa)TiO₃煅烧粉末的步骤中进行干法混合。

5.如权利要求1所述的制备半导体陶瓷组合物的方法，其中在制备所述Ba(TiM)O₃煅烧粉末的步骤、或制备所述(BiNa)TiO₃煅烧粉末的步骤、或所述两个步骤中，在所述煅烧之前添加3.0摩尔％或更少的氧化硅和4.0摩尔％或更少的碳酸钙或氧化钙。

6.如权利要求1所述的制备半导体陶瓷组合物的方法，其中在混合所述Ba(TiM)O₃煅烧粉末和所述(BiNa)TiO₃煅烧粉末的步骤中，添加3.0摩尔％或更少的氧化硅和4.0摩尔％或更少的碳酸钙或氧化钙。

7.如权利要求1所述的制备半导体陶瓷组合物的方法，其中所述半导体掺杂物M为Nb和Sb中的至少一种元素，并且所述半导体陶瓷组合物由组成式[(BiNa)_xBa_1-x][Ti_1-yM_y]O₃表示，其中x和y分别满足0＜x≤0.3和0＜y≤0.005。

8.如权利要求7所述的制备半导体陶瓷组合物的方法，其中Bi与Na的比例满足关系式Bi/Na＝0.78至1。

9.一种半导体陶瓷组合物，所述半导体陶瓷组合物是通过下述步骤获得的：成形并烧结含有Ba(TiM)O₃煅烧粉末(其中M为半导体掺杂物，并且为Nb和Sb中的至少一种元素)和(BiNa)TiO₃煅烧粉末的混合的煅烧粉末，其中所述组合物由组成式[(BiNa)_xBa_1-x][Ti_1-yM_y]O₃表示，其中x和y分别满足0＜x≤0.3和0＜y≤0.005，以及Bi与Na的比例满足关系式Bi/Na＝0.78至1。