[发明专利]放大设备

权利要求书

1.一种放大设备，包括：

放大电路；

电压源；以及

高电阻电路；

其中，所述放大电路的输入端通过所述高电阻电路连接到所述电压源的输出端；

根据所述电压源的输出电压放大从输入端输入的信号；

ESD保护元件连接到所述电压源的输出端。

2.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由MOS晶体管构成；并且

所述ESD保护元件被构成为使得N沟道MOS晶体管的漏极和P沟道MOS晶体管的漏极连接到电压源的输出端，N沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到低电势电源端子，并且P沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到高电势电源端子。

3.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由MOS晶体管构成，所述ESD保护元件被构成为使得N沟道MOS晶体管的漏极连接到电压源的输出端，N沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到低电势电源端子。

4.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由双极型晶体管构成，所述ESD保护元件被构成为使得N沟道MOS晶体管的漏极和P沟道MOS晶体管的漏极连接到电压源的输出端，N沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到低电势电源端子，P沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到高电势电源端子。

5.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由双极型晶体管构成，所述ESD保护元件被构成为使得N沟道MOS晶体管的漏极连接到电压源的输出端，N沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到低电势电源端子。

6.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由二极管构成，所述ESD保护元件被构成为使得N沟道MOS晶体管的漏极和P沟道MOS晶体管的漏极连接到电压源的输出端，N沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到低电势电源端子，并且P沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到高电势电源端子。

7.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由二极管构成，所述ESD保护元件被构成为使得N沟道MOS晶体管的漏极连接到电压源的输出端，N沟道MOS晶体管的栅极和源极连接到低电势电源端子。

8.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由双极型晶体管构成，所述ESD保护元件被构成为使得NPN晶体管的集电极连接到电压源的输出端，NPN晶体管的发射极和基极连接到低电势电源端子。

9.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由双极型晶体管构成，所述ESD保护元件被构成为使得NPN晶体管的集电极连接到电压源的输出端，NPN晶体管的发射极连接到低电势电源端子，并且NPN晶体管的基极通过电阻器连接到低电势电源端子。

10.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由双极型晶体管构成，所述ESD保护元件被构成为使得第一二极管的阴极和第二二极管的阳极连接到电压源的输出端，第一二极管的阳极连接到低电势电源端子，并且第二二极管的阴极连接到高电势电源端子。

11.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由二极管构成，所述ESD保护元件被构成为使得NPN晶体管的集电极连接到电压源的输出端，并且NPN晶体管的发射极和基极连接到低电势电源端子。

12.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由二极管构成，所述ESD保护元件被构成为使得NPN晶体管的集电极连接到电压源的输出端，NPN晶体管的发射极连接到低电势电源端子，并且NPN晶体管的基极通过电阻器连接到低电势电源端子。

13.如权利要求1所述的放大设备，其中：

所述高电阻电路由二极管构成，所述ESD保护元件被构成为使得第一二极管的阴极和第二二极管的阳极连接到电压源的输出端，第一二极管的阳极连接到低电势电源端子，并且第二二极管的阴极连接到高电势电源端子。

14.如权利要求1所述的放大设备，其中，电容性信号源连接到放大电路的输入端。