[发明专利]减小半导体装置的临界尺寸的方法和具有减小的临界尺寸的部分制造的半导体装置

权利要求书

1.一种在目标层上形成特征的方法，其包括：

在目标层上形成中间层；

在位于所述中间层上方的抗蚀剂层中形成开口；

在所述抗蚀剂层的部分的侧壁上形成第一组间隔物；

使所述目标层除被所述第一组间隔物掩蔽的部分以外的部分暴露；

移除所述第一组间隔物以使所述中间层的下伏部分暴露；

在所述中间层的暴露的部分的侧壁上形成第二组间隔物；

移除所述中间层的所述暴露的部分；及

在所述目标层的暴露的部分中形成特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述目标层的暴露的部分中形成特征包括形成具有比所述抗蚀剂层中的所述开口的临界尺寸小的临界尺寸的所述特征。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在抗蚀剂层中形成开口包括形成具有x的临界尺寸的所述开口，且产生所述抗蚀剂层的具有x的临界尺寸的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述目标层的暴露的部分中形成特征包括形成具有等于x/3的临界尺寸的特征。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在抗蚀剂层中形成开口包括形成具有可通过平版印刷术印刷的宽度的四分之五的临界尺寸的所述开口，且产生所述抗蚀剂层的具有所述可通过平版印刷术印刷的宽度的四分之三的临界尺寸的部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述目标层的暴露的部分中形成特征包括形成具有等于所述可通过平版印刷术印刷的宽度的四分之一的临界尺寸的特征。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一组间隔物包括在等于待在所述目标层上形成的特征的临界尺寸的厚度处沉积间隔物材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一组间隔物或形成第二组间隔物包括用氧化硅或氮化硅形成所述第一组间隔物或所述第二组间隔物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一组间隔物包括在所述抗蚀剂层的剩余部分上以共形方式沉积间隔物材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中使所述目标层除被所述第一组间隔物掩蔽的区以外的部分暴露包括蚀刻所述抗蚀剂层的在所述第一组间隔物之间的剩余部分和蚀刻所述中间层的下伏部分。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述抗蚀剂层与所述中间层之间形成抗反射层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一组间隔物包括在所述抗蚀剂层的剩余部分的侧壁上形成垂直的间隔物。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在使所述目标层的所述部分暴露之前移除所述抗蚀剂层的剩余部分。

14.根据权利要求1所述的方法，其中形成第二组间隔物包括用与所述第一组间隔物相同的材料形成所述第二组间隔物。

15.根据权利要求1所述的方法，其中在所述目标层的暴露的部分中形成特征包括形成具有等于所述第一组间隔物的厚度的临界尺寸的所述特征。