[发明专利]用于降低模拟浮栅电池中的电荷损失的方法有效
申请号: | 200780044921.6 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101601095A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | R·A·斯波里;S·S·乔治斯库;IM·I·波伊纳鲁 | 申请(专利权)人: | 催化剂半导体公司 |
主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 降低 模拟 电池 中的 电荷 损失 方法 | ||
1.一种在集成电路中提供基准电压的方法,包括:
通过隧穿电容器对第一非易失性存储器晶体管的阈值电压编程, 非易失性存储器晶体管即NVM晶体管,其中第一NVM晶体管和所 述隧穿电容器共用第一浮栅,并且所述隧穿电容器具有与所述第一浮 栅分离的编程端;接着
将所述隧穿电容器的所述编程端耦合到第二NVM晶体管,所述 第二NVM晶体管具有第二浮栅并且所述第二浮栅具有被选择为与所 述第一浮栅的电学和热特性匹配的电学和热特性;以及
在将所述隧穿电容器的所述编程端耦合到所述第二NVM晶体 管的所述第二浮栅时,响应于所述第一NVM晶体管的编程的阈值电 压,生成单端的基准电压。
2.根据权利要求1的方法,其中对所述第一NVM晶体管的阈 值电压编程的步骤包括:在所述隧穿电容器的所述编程端和所述第一 浮栅的两端施加编程电压。
3.根据权利要求1的方法,还包括:
在对所述第一NVM晶体管的阈值电压编程的步骤期间,以与所 述第一NVM晶体管成电流镜的配置耦合第三NVM晶体管;以及
在对所述第一NVM晶体管的阈值电压编程的步骤期间,将基准 电压施加到所述第三NVM晶体管。
4.根据权利要求3的方法,还包括:
在对所述第一NVM晶体管的阈值电压编程的步骤期间,将所述 第一NVM晶体管和所述第三NVM晶体管耦合到差动放大器;以及
在所述差动放大器的输出切换时,终止对所述第一NVM晶体管 的阈值电压编程的步骤。
5.根据权利要求3的方法,还包括:在对所述第一NVM晶体 管的阈值电压编程之前,通过对所述第三NVM晶体管的第三浮栅进 行放电从而将所述第三NVM晶体管的阈值电压初始化到中性状态。
6.根据权利要求5的方法,其中初始化所述第三NVM晶体管 的阈值电压的步骤包括:将所述第三NVM晶体管暴露于紫外线辐照, 即UV辐照。
7.根据权利要求1的方法,还包括:在生成单端的基准电压的 步骤期间,以与所述第一NVM晶体管成电流镜的配置耦合第三NVM 晶体管。
8.根据权利要求7的方法,还包括:在生成单端的基准电压的 步骤期间,将所述第一NVM晶体管和所述第三NVM晶体管耦合到 差动放大器的输入,其中所述差动放大器提供所述单端的基准电压。
9.根据权利要求7的方法,其中在生成单端的基准电压的步骤 期间,第一电流流过所述第一NVM晶体管,所述方法还包括:在生 成单端的基准电压的步骤期间,使与所述第一电流相等的电流流过所 述第二NVM晶体管。
10.根据权利要求1的方法,还包括:在对所述第一NVM晶体 管的阈值电压编程之前,通过所述隧穿电容器擦除所述第一NVM晶 体管。
11.根据权利要求1的方法,其中通过Fowler-Nordheim隧穿对 所述第一NVM晶体管的阈值电压编程。
12.一种用于生成基准电压的电压基准电路,包括:
第一非易失性存储器晶体管,即第一NVM晶体管,具有被配置 为存储编程的电荷的第一浮栅,其中,响应于存储在所述第一浮栅上 的编程的电荷生成基准电压;
隧穿电容器,与第一NVM晶体管共用第一浮栅,其中所述隧穿 电容器具有与所述第一浮栅分离的编程端;
第二NVM晶体管,具有第二浮栅,并且所述第二浮栅具有被选 择为与所述第一NVM晶体管的第一浮栅的电学和热特性匹配的电学 和热特性;
第一开关,被配置为在正常操作模式期间将所述编程端耦合到所 述所述第二NVM晶体管的第二浮栅,在所述正常操作模式中所述电 压基准电路生成所述基准电压。
13.根据权利要求12的电压基准电路,还包括:第二开关,在 其中编程的电荷被存储在所述第一浮栅上的编程模式期间,该第二开 关被配置为将所述编程端耦合到编程电压。
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