[发明专利]用于降低模拟浮栅电池中的电荷损失的方法

权利要求书

1.一种在集成电路中提供基准电压的方法，包括：

通过隧穿电容器对第一非易失性存储器晶体管的阈值电压编程， 非易失性存储器晶体管即NVM晶体管，其中第一NVM晶体管和所 述隧穿电容器共用第一浮栅，并且所述隧穿电容器具有与所述第一浮 栅分离的编程端；接着

将所述隧穿电容器的所述编程端耦合到第二NVM晶体管，所述 第二NVM晶体管具有第二浮栅并且所述第二浮栅具有被选择为与所 述第一浮栅的电学和热特性匹配的电学和热特性；以及

在将所述隧穿电容器的所述编程端耦合到所述第二NVM晶体 管的所述第二浮栅时，响应于所述第一NVM晶体管的编程的阈值电 压，生成单端的基准电压。

2.根据权利要求1的方法，其中对所述第一NVM晶体管的阈 值电压编程的步骤包括：在所述隧穿电容器的所述编程端和所述第一 浮栅的两端施加编程电压。

3.根据权利要求1的方法，还包括：

在对所述第一NVM晶体管的阈值电压编程的步骤期间，以与所 述第一NVM晶体管成电流镜的配置耦合第三NVM晶体管；以及

在对所述第一NVM晶体管的阈值电压编程的步骤期间，将基准 电压施加到所述第三NVM晶体管。

4.根据权利要求3的方法，还包括：

在对所述第一NVM晶体管的阈值电压编程的步骤期间，将所述 第一NVM晶体管和所述第三NVM晶体管耦合到差动放大器；以及

在所述差动放大器的输出切换时，终止对所述第一NVM晶体管 的阈值电压编程的步骤。

5.根据权利要求3的方法，还包括：在对所述第一NVM晶体 管的阈值电压编程之前，通过对所述第三NVM晶体管的第三浮栅进 行放电从而将所述第三NVM晶体管的阈值电压初始化到中性状态。

6.根据权利要求5的方法，其中初始化所述第三NVM晶体管 的阈值电压的步骤包括：将所述第三NVM晶体管暴露于紫外线辐照， 即UV辐照。

7.根据权利要求1的方法，还包括：在生成单端的基准电压的 步骤期间，以与所述第一NVM晶体管成电流镜的配置耦合第三NVM 晶体管。

8.根据权利要求7的方法，还包括：在生成单端的基准电压的 步骤期间，将所述第一NVM晶体管和所述第三NVM晶体管耦合到 差动放大器的输入，其中所述差动放大器提供所述单端的基准电压。

9.根据权利要求7的方法，其中在生成单端的基准电压的步骤 期间，第一电流流过所述第一NVM晶体管，所述方法还包括：在生 成单端的基准电压的步骤期间，使与所述第一电流相等的电流流过所 述第二NVM晶体管。

10.根据权利要求1的方法，还包括：在对所述第一NVM晶体 管的阈值电压编程之前，通过所述隧穿电容器擦除所述第一NVM晶 体管。

11.根据权利要求1的方法，其中通过Fowler-Nordheim隧穿对 所述第一NVM晶体管的阈值电压编程。

12.一种用于生成基准电压的电压基准电路，包括：

第一非易失性存储器晶体管，即第一NVM晶体管，具有被配置 为存储编程的电荷的第一浮栅，其中，响应于存储在所述第一浮栅上 的编程的电荷生成基准电压；

隧穿电容器，与第一NVM晶体管共用第一浮栅，其中所述隧穿 电容器具有与所述第一浮栅分离的编程端；

第二NVM晶体管，具有第二浮栅，并且所述第二浮栅具有被选 择为与所述第一NVM晶体管的第一浮栅的电学和热特性匹配的电学 和热特性；

第一开关，被配置为在正常操作模式期间将所述编程端耦合到所 述所述第二NVM晶体管的第二浮栅，在所述正常操作模式中所述电 压基准电路生成所述基准电压。

13.根据权利要求12的电压基准电路，还包括：第二开关，在 其中编程的电荷被存储在所述第一浮栅上的编程模式期间，该第二开 关被配置为将所述编程端耦合到编程电压。