[发明专利]固体成像元件用覆盖玻璃及其制造方法有效
申请号: | 200780045536.3 | 申请日: | 2007-12-26 |
公开(公告)号: | CN101553926A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 中堀宏亮;大川大介;淀川正弘 | 申请(专利权)人: | 日本电气硝子株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;C03C3/091;C03C3/093 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 波;杨本良 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 成像 元件 覆盖 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一种固体成像元件用覆盖玻璃,其是无机氧化物玻璃制的薄板状的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,
在厚度方向相对的两个透光面都具有覆盖膜,所述覆盖玻璃的外周端面由用激光切断的面形成,该覆盖玻璃的外周端面的凹陷长度为500μm以下,所述覆盖膜是在激光切断之前形成的。
2.一种固体成像元件用覆盖玻璃,其是无机氧化物玻璃制的薄板状的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,
在厚度方向相对的两个透光面都具有覆盖膜,所述覆盖玻璃的外周端面的凹陷长度为500μm以下,该覆盖膜的外周端粘合在透光面上。
3.如权利要求1或权利要求2所述的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,所述覆盖膜是防反射膜。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,所述覆盖膜的外周端通过被激光加工时产生的热加热而粘合在透光面上。
5.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,所述覆盖膜是光学薄膜,该光学薄膜的厚度在0.01μm~100μm的范围内。
6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,所述覆盖玻璃的外周端面的凹陷深度在30μm以下。
7.如权利要求1至权利要求6中任一项所述的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,该固体成像元件是CCD或CMOS。
8.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的固体成像元件用覆盖玻璃,其特征在于,无机氧化物玻璃制的薄板状玻璃的组分按换算成氧化物且以质量百分率表示时,包含有SiO2 56~70%、Al2O3 0.5~18%、B2O3 5~20%、RO 0.1~20%(RO=MgO+CaO+ZnO+SrO+BaO)、ZnO0~9%、M2O 1~18%(M2O=Li2O+Na2O+K2O)。
9.一种固体成像元件用覆盖玻璃的制造方法,其特征在于,包括:在耐热性容器内熔融玻璃原料混合物的工序、将获得的熔融玻璃成型为平板玻璃的工序、在该平板玻璃的两个透光面上都形成覆盖膜的成膜工序、向在两个透光面上都具有覆盖膜的带覆盖膜平板玻璃射出激光的射出工序、将射出工序后的平板玻璃分割成小片玻璃的工序。
10.如权利要求9所述的固体成像元件用覆盖玻璃的制造方法,其特征在于,在将熔融玻璃成型为平板玻璃的工序中,将熔融玻璃向下方延伸成型,然后冷却固化平板玻璃。
11.如权利要求9所述的固体成像元件用覆盖玻璃的制造方法,其特征在于,分割成小片玻璃的工序是折断分开工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的