[发明专利]用于电子器件或其它制品上的涂层的杂化层

权利要求书

1.在表面上形成涂层的方法，包括：

提供前体材料源；

将前体材料输送到与待涂覆表面邻接的反应位置；和

使用该前体材料源通过化学气相沉积在该表面上沉积厚度为 0.1-10μm的杂化层，其中该杂化层包含聚合物材料和非聚合物材料的 混合物，其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比在95∶5至5∶95范 围内，且其中聚合物材料与非聚合物材料产生自相同的前体材料源，

其中在对于沉积过程的所有反应条件均相同的反应条件下沉积杂 化层。

2.权利要求1的方法，其中前体材料是六甲基二硅氧烷或二甲基 硅氧烷。

3.权利要求1的方法，其中前体材料包含单一有机硅化合物。

4.权利要求1的方法，其中前体材料包含有机硅化合物的混合 物。

5.权利要求1的方法，其中化学气相沉积是等离子体增强的。

6.权利要求5的方法，还包括提供反应物气体，且其中在该反应 物气体存在下发生化学气相沉积。

7.权利要求6的方法，其中反应物气体是氧。

8.权利要求1的方法，其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比 在90∶10至10∶90范围内。

9.权利要求1的方法，其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比 在25∶75至10∶90范围内。

10.权利要求1的方法，其中聚合物材料是含硅聚合物。

11.权利要求1的方法，其中非聚合物材料包含含硅化合物。

12.权利要求11的方法，其中含硅化合物是无机的。

13.权利要求1的方法，还包括在沉积杂化层之前使用前体材料 源在表面上沉积未混合的聚合物层。

14.权利要求1的方法，还包括在沉积杂化层之前使用前体材料 源在表面上沉积未混合的非聚合物层。

15.权利要求1的方法，还包括在沉积杂化层之后使用前体材料 源在表面上沉积未混合的聚合物层。

16.权利要求1的方法，还包括在沉积杂化层之后使用前体材料 源在表面上沉积未混合的非聚合物层。

17.权利要求1的方法，其中沉积状态的杂化层具有在36°-60° 范围内的水滴润湿接触角。

18.权利要求1的方法，其中杂化层是光学透明的。

19.权利要求18的方法，其中杂化层从近紫外至近红外光谱具有 大于90％的透光率。

20.权利要求1的方法，其中在沉积杂化层之前预处理表面以改 善该表面和杂化层之间的界面结合。

21.权利要求20的方法，其中预处理表面的步骤包括化学处理。

22.权利要求20的方法，其中预处理表面的步骤包括物理-化学 处理。

23.权利要求22的方法，其中物理-化学处理是等离子体处理。

24.权利要求20的方法，其中预处理的步骤包括在沉积杂化层之 前在表面上设置中介层。

25.权利要求24的方法，其中中介层包含用于提高表面和杂化层 之间的界面结合的材料。

26.权利要求1的方法，还包括：

使用该前体材料源通过化学气相沉积在该表面上沉积多个杂化 层，其中各个杂化层独立地包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物， 其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比在95∶5至5∶95范围内，且 其中聚合物材料与非聚合物材料产生自相同的前体材料源，

其中对于多个杂化层中的每一个，在对于沉积过程的所有反应条 件均相同的反应条件下沉积杂化层。