[发明专利]半导体芯片形状改变无效
| 申请号： | 200780046560.9 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101584042A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | M·G·法鲁克;D-Y·容;I·D·梅尔维尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;李 峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 形状 改变 | ||
【权利要求书】：
1.一种生成半导体芯片的方法，包括：
在半导体晶片中生成孔(220)，所述半导体晶片包括由划片通道(102)分隔开的多个半导体芯片，使得所述孔(220)生成在所述划片通道(102)的交叉处并通过半导体芯片的一部分；以及
通过所述划片通道(102)和在所述划片通道(102)的交叉处的所述半导体芯片的所述部分进行划片。
2.如权利要求1的方法，所述生成步骤包括激光钻孔、玻什法深钻孔、光刻然后反应离子刻蚀、以及离子铣中的至少一种。
3.如权利要求1的方法，所述划片步骤包括机械锯片划片和激光划片中的至少一种。
4.如权利要求1的方法，其中所述孔(220)的形状包括圆形、菱形、八边形、以及凹面形状中的一种。
5.如权利要求1的方法，所述划片步骤产生不具有基本上90度的拐角的半导体芯片。
6.如权利要求1的方法，所述划片步骤产生多个半导体芯片，所述多个半导体芯片具有对硬钝化接触区域的减小的底部填充。
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