[发明专利]半导体芯片形状改变

说明书

技术领域

本发明总体涉及半导体器件，更具体而言，涉及半导体芯片形状改变。

背景技术

半导体芯片的形状对于半导体技术至关重要。半导体芯片的形状可在半导体芯片上产生物理应力。半导体芯片上的应力会导致层离(delamination)，也就是半导体芯片的后段制程(“BEOL”)材料的断裂，这进而导致半导体芯片失效。现有技术的半导体芯片局限于正方形和矩形形状，而由于这样的形状中固有的90度拐角，因此该形状在半导体芯片上引入大部分的应力。

图1a-1b描绘现有技术半导体晶片100和芯片110。注意到现有技术半导体晶片100中的垂直划片通道102。一旦划片成小块，单个管芯，也称为半导体芯片，就从半导体晶片100上分离开。一旦分离开，半导体芯片110具有正方形或矩形形状。图1b突出强调了与现有技术半导体芯片110相关的问题。更具体而言，从现有技术半导体晶片100划片下来的半导体芯片110产生了正方形或矩形的半导体芯片110。

现有技术的正方形和矩形的半导体芯片110形状在半导体芯片110上引入了应力，尤其在拐角108处。这样的应力会导致层离，这是现有技术半导体芯片110的一个问题。通常，层离开始于三角形区域106，并朝向半导体芯片110的有源区112行进。一旦层离到达有源区112，半导体芯片110就会失效。尽管现有技术半导体芯片110包括有作用为阻止层离进入有源区112的止裂体(crackstop)，但是该止裂体112随着半导体技术的发展很大程度上是无效的，因为更为频繁地使用低k电介质。低k电介质材料易发生层离。

本领域中需要的是能够减小层离的改善的半导体芯片形状。

发明内容

本发明涉及用于生成半导体芯片的方法。该方法包括生成和划片步骤。所述生成步骤包括在半导体晶片中生成孔，所述半导体晶片包括通过划片通道分开的半导体芯片。所述孔被生成在所述划片通道的交叉处。所述划片步骤包括通过所述划片通道和在划片通道的交叉处的半导体芯片的一部分进行划片。

本发明通过生成不具有90度拐角的半导体芯片解决了层离的问题。90度拐角的消除减小了半导体芯片上的物理应力，进而缓解了层离。

现有技术的半导体芯片生成方法集中于划片效率和制造成本的最小化。现有方法既没有说明对半导体芯片形状的改变，也没有说明芯片形状对半导体芯片的应力的影响。即使现有方法集中于半导体芯片形状的改变(而现有方法并没有)，现有方法也不会集中于半导体芯片内的某些半导体材料导致层离的增加的倾向。更具体而言，随着半导体技术发展，更加频繁地使用低k电介质材料，该材料容易层离。

本发明解决了与现有半导体芯片相关联的前述问题。

至少出于上述原因，本发明改善了半导体技术。

附图描述

在所附权利要求中精确阐述了本发明的特征和部件特性。附图仅用于说明目的，并没有按照比例绘制。此外，图中同样的标号代表同样的特征。然而，可以结合附图参照接下来的详细描述对本发明本身的组织结构和操作方法达到最佳理解，图中：

图1a描绘了现有技术半导体晶片100；

图1b描绘了从图1a的半导体晶片100上划片下来的现有技术半导体芯片；

图2a描绘了本发明第一实施例的半导体晶片200；

图2b描绘了从图2a的半导体晶片200上划片下来的半导体芯片210；

图3描绘了本发明第二实施例的半导体晶片300；以及

图4描绘了本发明第三实施例的半导体晶片400。

具体实施方式

现在参照附图描述本发明。在图中，以简化的方式描绘并示意性表示了各种方面的结构，以更加清楚地描述和说明本发明。

通过概述和介绍，本发明涉及生成不具有任何90度角的半导体芯片的方法。该半导体芯片源自这样的半导体晶片，所述半导体晶片具有将半导体芯片分隔开的划片通道和位于划片通道的每个交叉处的孔。一旦划成小块，就生成了不具有90度角的半导体芯片。

将参照图2a描述本发明的实施例200。如图所示，半导体晶片200包括位于划片通道102的交叉处的孔220。可以通过激光钻孔、玻什(Bosch)法深钻孔、光刻然后反应离子刻蚀或离子铣(milling)来生成孔220。一旦将半导体晶片200划片，就生成如图2a所示的半导体芯片210。可以通过机械锯片划片或激光划片来划片半导体晶片200。