[发明专利]半导体工艺设备组件和部件的兆声精密清洁有效

专利信息
申请号: 200780047398.2 申请日: 2007-12-11
公开(公告)号: CN101563761A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 尹遥波;琳达·简 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 吴贵明
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工艺设备 组件 部件 精密 清洁
【权利要求书】:

1.一种清洁处理元件的装置,包含: 

具有空腔的槽,该空腔由底部和一个或多个从该底部延伸的侧壁和面对该底部的开口限定,该槽被配置为在该空腔内容纳一定量的流体以浸泡该处理元件; 

耦合至一支撑结构并延伸入该空腔内的一定量的流体中的板组件,该支撑结构位于接近该槽的开口处,其中该板组件被配置为以扫描运动沿着位于槽的开口附近的水平面移动,从而当在槽的空腔内存在处理元件时,使该板组件在该处理元件的表面上方移动,以及其中该板组件本身包括传感器元件和共振器元件,从而高频兆声波束能量由可调整至多个方向的该板组件产生,该板组件的多个方向中的某些方向具有大体垂直于该处理元件表面的方向的定位设置; 

载体组件,其中该载体组件被限定为支撑位于该槽的空腔内的处理元件,该载体组件具有用于在清洁过程中翻转该处理元件的机械装置;以及 

其中该处理元件是半导体器件处理元件,不是半导体晶片。 

2.根据权利要求1所述的装置,进一步包含与该一个或多个侧壁中的至少一个相耦合的一个或多个兆声传感器,其中与该一个或多个侧壁耦合的该一个或多个兆声传感器能够产生与大体上垂直于该处理元件的第二表面的方向有关的兆声能量。 

3.根据权利要求1所述的装置,进一步包含与该底部耦合的一个或多个兆声传感器,其中与该底部耦合的该一个或多个兆声传 感器能够产生与大体上垂直于该处理元件的第三表面的方向有关的兆声能量。 

4.根据权利要求1所述的装置,进一步包含第二板组件,其中该第二板组件与该槽的底部耦合,该第二板组件能够在该处理元件的第二表面上方移动,其中该第二表面面对该处理元件的该表面,且该第二板组件能够产生与大体上垂直于该处理元件的该第二表面的方向有关的声波能量。 

5.根据权利要求1所述的装置,其中在该处理元件表面上方的移动包括向前、向后、横向、斜角或环形扫描运动。 

6.根据权利要求1所述的装置,其中该流体是去离子水。 

7.根据权利要求1所述的装置,其中该流体是含水碱溶液、含水酸溶液、中性表面活性剂溶液、酸性表面活性剂溶液、碱性表面活性剂溶液、含水表面活性剂溶液或有机溶剂和水的混合物。 

8.根据权利要求7所述的装置,其中该含水碱溶液是NH4OH+H2O2+H2O。 

9.根据权利要求7所述的装置,其中该含水酸溶液是HCl+H2O2+H2O、HF+H2O2+H2O。 

10.根据权利要求1所述的装置,其中该流体被加热。 

11.根据权利要求1所述的装置,其中该流体是使用原地过滤再循环的。 

12.根据权利要求1所述的装置,其中该流体是一个流体序列中的一个,其中该流体序列被选择性地添加入该槽的该空腔内,以优化该表面的清洁。 

13.根据权利要求1所述的装置,其中该高频兆声声波能量是具有600KHz到2MHz的频率的能量。 

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