[发明专利]半导体工艺设备组件和部件的兆声精密清洁有效

专利信息
申请号: 200780047398.2 申请日: 2007-12-11
公开(公告)号: CN101563761A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 尹遥波;琳达·简 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 吴贵明
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工艺设备 组件 部件 精密 清洁
【说明书】:

技术领域

发明大体上有关于对处理和制造设备的精密清洁,尤 其是,有关于使用兆声能量和选择性的清洁剂来清洁电子器件处理 和制造设备以及其他类型的处理和制造设备等的装置和方法。

背景技术

在电子器件制造过程中,兆声清洁(megasonic cleaning)被广 泛应用去除半导体晶片、磁性媒体等的微粒污染,以减轻微粒污染 对晶片产量与器件可靠性的不利影响。然而,有关半导体晶片、磁 性媒体和用于处理这些半导体晶片、磁性媒体的各部件、设备或者 工具等之间的微粒和微量金属的交叉污染的担忧持续存在。

传统上,在电子器件制造过程中使用的对处理部件、设 备和工具等的清洁是使用低频(小于75KHz)超声波精密清洁方法 完成的。然而,随着半导体晶片等的临界尺寸的持续减小和沉积在 处理部件、设备和工具等的表面的亚微米微粒(例如0.1μm-0.5μm) 的数量的增长,低频超声波清洁技术不再能够从处理部件、设备、 工具等中有效地清除亚微米微粒,这极大地影响了晶片生产线的产 量和器件的产量等。

鉴于上述情况,需要提供一种施加兆声能量以有效地从 半导体工艺设备元件等的表面去除亚微米微粒污染的途径。

发明内容

在一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。 该装置包含具有空腔的槽,该空腔由底部和一个或多个从该底部延 伸的侧壁和面对该底部的开口限定。该槽被配置为在该空腔内容纳 一定量的流体以浸泡该处理元件。该装置进一步包含板组件,其中 该板组件能够在该处理元件的表面的上方移动并且产生与大体上 垂直于该处理部件的该表面的方向有关的高频兆声能量。

在另一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。 该装置包含具有载体元件的处理室,其中该载体元件能够支撑该处 理室内的该处理元件。该装置进一步包含流体供应组件,该流体供 应组件能够向该处理元件的表面供应流体。该装置还包含波束组 件,该波束组件能够产生高频兆声声波能量波束,其中该声波能量 波束被应用于该处理元件的表面

在再一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。 该装置包含具有载体元件的处理室,其中该载体元件能够支撑该处 理室内的该处理元件。该装置进一步包含喷管组件,该喷管组件能 够向该处理元件供应超声能量化的流体。

从下面结合实施方式和以实施例的方式描绘本发明原理 的附图进行的具体描述中,本发明的其他特征也会变得显而易见。

附图说明

通过下面的描述,并参考附图,可以更好的理解本发明 及其进一步的优点,其中:

图1是描述在部件的表面施加兆声能量带来的围绕处理 中的元件的选择性表面的静态流体边界内形成的微涌力的侧视图;

图2A是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括扫描兆 声板的兆声精密清洁装置的横断面视图;

图2B是描绘图2A所示的兆声精密清洁装置的一个替代 实施方式的横断面视图;

图3A是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括扫描兆 声波束的兆声精密清洁装置的横断面视图;

图3B是描绘,依照本发明的一个替代实施方式,包括扫 描兆声射线的兆声精密清洁装置的横断面视图;

图4是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括兆声喷管 的兆声精密清洁装置的横断面视图;以及

图5是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括替代的兆 声喷管的兆声精密清洁装置的横断面视图。

具体实施方式

本发明的实施方式提供了施加兆声能量以有效地从电子 器件处理部件、元件、工具等或任何其它的虽然不是基板或晶片, 但是可能遭受有机或无机的亚微米微粒污染的部件、元件、工具等 中除去亚微米微粒污染的系统、装置和方法。尤其是,本发明的实 施方式提供一种使用高频兆声能量(大约600kHz-2MHz)和选择性 的清洁剂(例如化学品、流体等)结合各种清洁装置以从处理部件、 元件、工具等的表面除去亚微米微粒的途径。

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