[发明专利]半导体工艺设备组件和部件的兆声精密清洁有效
申请号: | 200780047398.2 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101563761A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 尹遥波;琳达·简 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 组件 部件 精密 清洁 | ||
技术领域
本发明大体上有关于对处理和制造设备的精密清洁,尤 其是,有关于使用兆声能量和选择性的清洁剂来清洁电子器件处理 和制造设备以及其他类型的处理和制造设备等的装置和方法。
背景技术
在电子器件制造过程中,兆声清洁(megasonic cleaning)被广 泛应用去除半导体晶片、磁性媒体等的微粒污染,以减轻微粒污染 对晶片产量与器件可靠性的不利影响。然而,有关半导体晶片、磁 性媒体和用于处理这些半导体晶片、磁性媒体的各部件、设备或者 工具等之间的微粒和微量金属的交叉污染的担忧持续存在。
传统上,在电子器件制造过程中使用的对处理部件、设 备和工具等的清洁是使用低频(小于75KHz)超声波精密清洁方法 完成的。然而,随着半导体晶片等的临界尺寸的持续减小和沉积在 处理部件、设备和工具等的表面的亚微米微粒(例如0.1μm-0.5μm) 的数量的增长,低频超声波清洁技术不再能够从处理部件、设备、 工具等中有效地清除亚微米微粒,这极大地影响了晶片生产线的产 量和器件的产量等。
鉴于上述情况,需要提供一种施加兆声能量以有效地从 半导体工艺设备元件等的表面去除亚微米微粒污染的途径。
发明内容
在一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。 该装置包含具有空腔的槽,该空腔由底部和一个或多个从该底部延 伸的侧壁和面对该底部的开口限定。该槽被配置为在该空腔内容纳 一定量的流体以浸泡该处理元件。该装置进一步包含板组件,其中 该板组件能够在该处理元件的表面的上方移动并且产生与大体上 垂直于该处理部件的该表面的方向有关的高频兆声能量。
在另一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。 该装置包含具有载体元件的处理室,其中该载体元件能够支撑该处 理室内的该处理元件。该装置进一步包含流体供应组件,该流体供 应组件能够向该处理元件的表面供应流体。该装置还包含波束组 件,该波束组件能够产生高频兆声声波能量波束,其中该声波能量 波束被应用于该处理元件的表面
在再一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。 该装置包含具有载体元件的处理室,其中该载体元件能够支撑该处 理室内的该处理元件。该装置进一步包含喷管组件,该喷管组件能 够向该处理元件供应超声能量化的流体。
从下面结合实施方式和以实施例的方式描绘本发明原理 的附图进行的具体描述中,本发明的其他特征也会变得显而易见。
附图说明
通过下面的描述,并参考附图,可以更好的理解本发明 及其进一步的优点,其中:
图1是描述在部件的表面施加兆声能量带来的围绕处理 中的元件的选择性表面的静态流体边界内形成的微涌力的侧视图;
图2A是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括扫描兆 声板的兆声精密清洁装置的横断面视图;
图2B是描绘图2A所示的兆声精密清洁装置的一个替代 实施方式的横断面视图;
图3A是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括扫描兆 声波束的兆声精密清洁装置的横断面视图;
图3B是描绘,依照本发明的一个替代实施方式,包括扫 描兆声射线的兆声精密清洁装置的横断面视图;
图4是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括兆声喷管 的兆声精密清洁装置的横断面视图;以及
图5是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括替代的兆 声喷管的兆声精密清洁装置的横断面视图。
具体实施方式
本发明的实施方式提供了施加兆声能量以有效地从电子 器件处理部件、元件、工具等或任何其它的虽然不是基板或晶片, 但是可能遭受有机或无机的亚微米微粒污染的部件、元件、工具等 中除去亚微米微粒污染的系统、装置和方法。尤其是,本发明的实 施方式提供一种使用高频兆声能量(大约600kHz-2MHz)和选择性 的清洁剂(例如化学品、流体等)结合各种清洁装置以从处理部件、 元件、工具等的表面除去亚微米微粒的途径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造