[发明专利]制造固态成像装置的方法无效
申请号: | 200780048134.9 | 申请日: | 2007-12-19 |
公开(公告)号: | CN101569012A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 渡边万次郎 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/02;H01L31/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈 平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 固态 成像 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制造固态成像装置的方法,具体地,涉及一种通过将 固态成像元件晶片粘合到光透射性基板上制造固态成像装置的制造方法。
背景技术
近年来,在数字照相机或蜂窝式电话中使用的电荷耦合装置(CCD)或 互补金属氧化物半导体(CMOS)所形成的固态成像装置被要求进一步小型 化和大规模制造。
为了小型化和大规模制造基于这些要求的固态成像装置,提出了一种 固态成像装置以及制造该固态成像装置的方法,所述固态成像装置被制造 成使得在其上形成多个固态成像装置的光接收单元的固态成像元件晶片 经由隔体被粘合到光透射性基板上,所述隔体是与包围每一个光接收单元 或密封材料的位置对应形成的,之后将该粘合到光透射性基板上的固态成 像元件晶片进行处理,比如槽布线(through wiring)的形成、切割等(参考例 如,专利文件1和2)。
在这样一种制造固态成像装置的方法中,特别是在切割处理中,存在 的问题在于固态成像元件晶片受到切割时产生的光透射性基板的碎片的 损伤,因为在光透射性基板和固态成像元件晶片之间所形成的间隙之间的 距离狭窄。为了解决该问题,提出了一种制造固态成像装置的方法,其中 在形成于被粘合到固态成像元件晶片上的光透射性基板上的隔体之间形 成沟道,将其上形成沟道的光透射性基板粘合至固态成像元件晶片,然后 进行切割(参考例如,专利文件3)。
形成沟道加宽了光透射性基板和固态成像元件晶片之间的间隙,并且 在切割时容易逐出光透射性基板的碎片,这样减少了对固态成像元件晶片 的损伤。
专利文件1:日本专利申请公开2001-351997
专利文件2:日本专利申请公开2004-88082
专利文件3:日本专利申请公开2006-100587
另一方面,在近年来需要大规模制造的情形下,固态成像元件晶片的 尺寸逐年增加,同时粘合到其上的光透射性基板的直径也在增加。由于这 种原因,其中在隔体之间安置沟道的光透射性基板保证不了足够的硬挺 度,这样导致的问题在于光透射性基板在粘合时弯曲而使平坦度变差,在 转移时弯曲,由此光透射性基板不能被处理或受到损伤。
本发明是考虑到上述问题而完成的,并且其目的是提供一种制造固态 成像装置的方法,所述方法提高光透射性基板的硬挺度,防止光透射性基 板弯曲,从而改善了转移性并且保持光透射性基板的表面清洁。
发明内容
为了实现所述目的,在根据本发明第一方面的制造固态成像装置的方 法中,其中将固态成像元件晶片粘合到光透射性基板上以产生粘合的基 板,所述光透射性基板的一个表面上形成了隔体,以包围形成于所述固态 成像元件晶片上的固态成像元件,并且在所述隔体之间形成了沟道;然后 将所述粘合的基板与各个固态成像元件对应地分割,所述制造固态成像装 置的方法的特征在于将载体粘合到所述光透射性基板的与其上形成所述 沟道的表面相反的表面上。
根据第一方面,通过使用切割装置在所述隔体之间进行半切式切割 (half-cut dicing)以形成沟道,切割光透射性基板,在所述光透射性基板的 一个表面上与形成在固态成像元件晶片上的固态成像元件的位置对应地 形成了隔体以包围固态成像元件。
防止光透射性基板由于其硬挺度不够而弯曲或受损的载体被粘合到与 其上形成沟道的光透射性基板的表面相反的表面上,并且安置隔体。
这样提高了光透射性基板的硬挺度,从而防止光透射性基板弯曲,提 高了光透射性基板被粘合到固态成像元件晶片上时的平坦度,并且有利于 于转移,从而降低损伤的风险。
本发明的第二方面的特征在于,在第一方面中,通过自剥离双面胶带 将所述载体粘合到光透射性基板上,该自剥离双面胶带的至少一个面通过 加热或被紫外线辐照而自剥离。
根据第二方面,通过自剥离双面胶带将载体粘合到光透射性基板上, 所述自剥离双面胶带的至少一个面具有自剥离性质。自剥离双面胶带具有 这样的性质:其至少一个面由于外部能量比如加热或紫外线而失去粘合 力,从而产生自剥离力。
这样完成转移和与固态成像元件晶片的粘合,从而能够使不需要的载 体容易被剥离,而不损伤光透射性基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的