[发明专利]弹性边界波装置

权利要求书

1.一种弹性边界波装置，具备：

压电体；

电介质，叠层在所述压电体上；

IDT电极，配置在所述压电体与电介质的界面上；和

低热膨胀率介质层，叠层在所述压电体的与所述界面相反侧的面上，由线性热膨胀系数比所述压电体小的材料形成，

该弹性边界波装置利用在所述压电体与所述电介质的边界进行传播的SH型弹性边界波，

所述压电体的SH波的音速满足下记的表达式(1)，且将所述IDT电极的波长设成λ时，相对于所述SH型弹性边界波的响应频率以及高阶模式的响应频率，电介质的横波的音速/λ满足下记的表达式(2)的范围，

电介质的横波的音速＜压电体的SH波的音速＜低热膨胀率介质层的横波的音速...表达式(1)

弹性边界波的响应频率＜电介质的横波的音速/λ＜高阶模式的响应频率...表达式(2)。

2.一种弹性边界波装置，具备：

压电体；

电介质，叠层在所述压电体上；

IDT电极，配置在所述压电体与电介质的界面上；和

低热膨胀率介质层，叠层在所述压电体的与形成有所述IDT电极的一侧的面相反侧的面上，由线性热膨胀系数比所述压电体小的材料形成，

该弹性边界波装置利用在所述压电体与所述电介质的边界进行传播的斯通利型弹性边界波，

所述压电体的SV波的音速满足下记的表达式(3)，且将所述IDT电极的波长设成λ时，相对于所述斯通利型弹性边界波的响应频率以及高阶模式的响应频率，电介质的横波的音速/λ满足下记的表达式(4)，

电介质的横波的音速＜压电体的SV波的音速＜低热膨胀率介质层的横波的音速...表达式(3)

弹性边界波的响应频率＜电介质的横波的音速/λ＜高阶模式的响应频率...表达式(4)。

3.根据权利要求1或2所述的弹性边界波装置，其特征在于，

所述压电体的厚度范围为1λ以上50λ以下。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，

在所述电介质层的与所述边界相反侧的面上叠层吸音层。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，

在所述电介质的与所述边界相反侧的面上，设置使传播到该相反侧的面的弹性波产生散射的结构。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，

还具备吸音层，该吸音层设置在所述压电体与所述低热膨胀率介质层之间。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，

由绝缘材料形成所述压电体以及电介质。