[发明专利]弹性边界波装置

说明书

技术领域

本发明涉及使用例如谐振器(resonator)或带通滤波器(band-passfilter)等的弹性边界波(boundary acoustic wave)装置，更详细来说，涉及利用了在压电体和电介质间的边界传播的弹性边界波的弹性边界波装置。

背景技术

以往，在便携式电话机(mobile phone)的带通滤波器等中广泛使用弹性表面波(surface acoustic wave)装置。例如，在下记的专利文献1中公开了一种弹性表面波滤波器，在图14表示了其剖面结构的略图。

在图14表示的弹性表面波滤波器501中，在由LiTaO₃形成的压电体502上，形成有IDT电极503。在作为压电体502的与形成有IDT电极503的面相反一侧的面的里面，接合蓝宝石(Sapphire)504。在设压电体502的厚度为T、利用的弹性表面波的波长为λ时，压电体502A的厚度与弹性表面波的波长λ间的比T/λ为10以上。因此，能减少由压电体502与蓝宝石504的边界面上的声体波(BAW)的反射所引起的假响应(spurious response)。

近年来，提出替代弹性表面波装置、利用了在压电体与电介质的边界传播的弹性边界波的弹性边界波装置的各种提案。在弹性表面波装置中，在激励于压电体表面形成的IDT电极时，必须设置用于不妨碍振动的空隙。因此，会得到复杂且大型的封装结构的弹性表面波装置。相反，在弹性边界波装置中，由于使用在压电体与电介质的边界传播的弹性边界波，因此不需要设置空隙。因此，能谋求简单化以及小型化封装的弹性边界波装置。

另一方面，在下记的专利文献2中，公开了具有吸音介质(soundabsorbing medium)/SiO₂/IDT电极/LiNbO₃的叠层结构的弹性边界波装置。在这里，吸音介质的横波(transverse wave)音速(acoustic velocity)比SiO₂的横波音速慢。吸音介质由环氧树脂(epoxy resin)或多孔(porous)SiO₂构成。通过设置所述吸音介质，能抑制高阶模式(highorder mode)假响应。

同样地，在下述专利文献3中，公开了具有由多晶硅薄膜(polycrystalline silicon film)/多晶氧化硅薄膜(polycrystalline siliconoxide film)/IDT/压电单晶基板(substrate)形成的叠层结构的弹性边界波装置。在这里，通过形成多晶硅薄膜，在IDT电极所激励的弹性边界波被限制在多晶氧化硅薄膜为止的部分。另外，由多晶硅薄膜以及多晶氧化硅薄膜确实保护IDT电极。

另外，在下记的专利文献4中，公开了在压电体与电介质的边界配置IDT电极、利用了SH型的弹性边界波的弹性边界波装置。在这里，决定IDT电极的厚度，以使得SH型边界波的音速比电介质传播的慢横波的音速以及压电体传播的慢横波的音速低。由此，增大机电耦合系数(electromechanical coupling coefficient)，减小传播损失(propagationloss)和能流角(power flow angle)，将频率温度系数TCF调整到适当范围之内。

专利文献1：JP特开2004-186868号公报

专利文献2：WO 2005/069486A1

专利文献3：WO 98/52279

专利文献4：WO 2004/070946A1

即使在弹性边界波装置中，也谋求抑制由比利用的弹性边界波更高阶的模式所引起的假响应。

如专利文献1所述，在弹性表面波装置中，如果在压电体的与形成有IDT电极一侧相反侧的面上接合蓝宝石等的其它固体，并且设压电体的厚度与表面波的波长的比为确定的范围，则能降低高阶模式的假响应。

在专利文献1的段落(0036)～(0042)中，公开了在42°Y切割(cut)X传播的LiTaO₃的表面上形成IDT电极、在里面叠层了R面切割的蓝宝石基板的例子。在该结构中，SH成分为主体的第一泄漏(leaky)表面波传播在LiTaO₃基板的表面。根据专利文献1的段落(0034)，在该结构中，会产生基于LiTaO₃与蓝宝石基板的边界面上的BAW的反射的假响应。