[发明专利]PLL老化电路以及半导体集成电路

权利要求书

1.一种PLL老化电路，向构成内置于半导体集成电路中的锁相 环电路的压控振荡器中的将对电压电流变换晶体管的栅极端子施加 的电压变换为电流的电压电流变换晶体管施加老化用的电压，其中， 以下将上述锁相环电路称为PLL，其特征在于，具备：

电流源，一端与第一电源连接；

第一晶体管，具有与上述电压电流变换晶体管相同极性，并且漏 极端子与上述电流源的另一端连接且源极端子与第二电源连接；以及

电位切换单元，在PLL老化时，使上述压控振荡器的栅极端子 的电位与上述第一晶体管的栅极端子的电位以及漏极端子的电位相 等，在通常动作时，使上述电压电流变换晶体管的栅极端子成为高阻 抗。

2.根据权利要求1所述的PLL老化电路，其特征在于，上述电 位切换单元具有：

二极管连接路径，连接上述第一晶体管的栅极端子与漏极端子之 间；以及

开关元件，使上述电压电流变换晶体管的栅极端子与上述第一晶 体管的栅极端子之间在高阻抗状态与连接状态之间切换。

3.根据权利要求1所述的PLL老化电路，其特征在于，上述电 位切换单元具有开关元件，该开关元件使上述第一晶体管的栅极端子 与漏极端子之间在高阻抗状态与连接状态之间切换。

4.根据权利要求1所述的PLL老化电路，其特征在于，上述电 位切换单元包括：

二极管连接路径，连接上述第一晶体管的栅极端子与漏极端子之 间；以及

开关元件，使该第一晶体管的源极端子与上述第二电源之间在高 阻抗状态与连接状态之间切换。

5.根据权利要求2所述的PLL老化电路，其特征在于，代替上 述开关元件，在上述电压电流变换晶体管的栅极端子与上述第一晶体 管的栅极端子之间，具备电阻与上述开关元件相互串联连接而成的串 联连接体。

6.根据权利要求3或4所述的PLL老化电路，其特征在于，在 上述电压电流变换晶体管的栅极端子与上述第一晶体管的栅极端子 之间插入了电阻。

7.根据权利要求1所述的PLL老化电路，其特征在于，上述电 流源由电阻构成。

8.根据权利要求1所述的PLL老化电路，其特征在于，上述电 流源由晶体管构成。

9.根据权利要求2至4中的任意一项所述的PLL老化电路，其 特征在于，上述电流源是能调整电流量的可变电流源。

10.根据权利要求9所述的PLL老化电路，其特征在于，还具 备监视电路，该监视电路对从上述压控振荡器输出的信号的频率进行 监视，并根据该监视结果使上述可变电流源的电流量可变。

11.根据权利要求2至4中的任意一项所述的PLL老化电路， 其特征在于，上述第一晶体管的晶体管尺寸是可变的，

上述PLL老化电路还具备使该第一晶体管的晶体管尺寸可变的 晶体管尺寸可变单元。