[发明专利]具有未合金硅化物的迁移率增加的结构和方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供具有PFET区域(301)和NFET区域(401)的半导体衬底；

用掩模(175)掩蔽所述PFET区域；

在所述NFET区域中的源极和漏极区域中形成嵌入的硅碳合金(261’)；

通过选择性沉积硅材料在所述PFET区域和所述NFET区域中生长硅层(170，270)，其中所述硅层不含碳和锗；

在所述硅层上沉积金属(80)；以及

用所述金属与所述硅层反应，以形成接触材料(186，286)，

其中在所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中形成嵌入的硅碳合金的所述步骤还包括：

将碳注入到所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中；以及

通过固相外延在所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中重新生长硅碳合金。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述接触材料期间，所述硅层的一部分被消耗以形成金属硅化物，而所述硅层的剩余部分(190，290)未被消耗。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述接触材料期间，所述硅层的全部被消耗，以形成金属硅化物。

4.如权利要求1所述的方法，其中，通过激光退火过程来实施所述固相外延，其中峰值温度在700℃和1428℃之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中，通过选择性硅外延来实施所述选择性硅沉积。

6.如权利要求1所述的方法，还包括，在提供具有所述PFET区域和所述NFET区域的所述半导体衬底之后，并在用所述掩模掩蔽所述PFET区域之前，将掺杂剂注入到所述PFET区域中的所述源极和漏极区域与所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中的至少一个中。

7.如权利要求1所述的方法，还包括，在所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中形成所述嵌入的硅碳合金之后，并在通过选择性沉积硅材料在所述PFET区域和所述NFET区域中生长实质上不含碳和锗的硅层以前，将掺杂剂注入到所述PFET区域中的所述源极和漏极区域与所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中的至少一个中。

8.如权利要求1所述的方法，还包括，在通过选择性沉积硅材料而在所述PFET区域和所述NFET区域中生长实质上不含碳和锗的硅层，并在所述硅层上沉积所述金属之后，将掺杂剂注入到所述PFET区域中的所述源极和漏极区域与所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中的至少一个中。

9.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供具有PFET区域(301)和NFET区域(401)的半导体衬底；

通过选择性沉积硅材料在所述PFET区域和所述NFET区域中生长硅层(770，870)，其中，所述硅层不含碳和锗；

用掩模(975)掩蔽所述PFET区域；

在所述NFET区域中的源极和漏极区域中形成嵌入的硅碳合金(1060’)；

在所述硅层上沉积金属(80)；以及

用所述金属与所述硅层反应，以形成接触材料(186，286)，

其中在所述NFET区域中的源极和漏极区域中形成嵌入的硅碳合金的所述步骤还包括：

将碳注入到所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中；以及

通过固相外延在所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中重新生长硅碳合金。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在形成所述接触材料期间，所述硅层的一部分被消耗以形成金属硅化物，而所述硅层的剩余部分(190，290)未被消耗。

11.如权利要求9所述的方法，其中，在形成所述接触材料期间，所述硅层的全部被消耗，以形成金属硅化物。

12.如权利要求9所述的方法，其中，通过激光退火过程来实施所述固相外延，其中峰值温度在700℃和1428℃之间。

13.如权利要求9所述的方法，其中，通过选择性硅外延来实施所述选择性硅沉积。