[发明专利]电压切换电路有效

专利信息
申请号: 200780049215.0 申请日: 2007-11-07
公开(公告)号: CN101573869A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: 冈智博 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00;H03K19/0185;G11C16/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 何欣亭;王丹昕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电压 切换 电路
【权利要求书】:

1.一种电压切换电路,通过选择信号来选择被输入的多个电 压,并将所选择的电压从输出端子输出,其特征在于包括:

向所述输出端子输出使半导体装置的逻辑电路动作的电源电压 的第一PMOS晶体管;

将比所述电源电压高的第一电压输出至所述输出端子的第二 PMOS晶体管;

将比所述电源电压低的第二电压输出至所述输出端子的第三 PMOS晶体管;以及

阱电位控制部,在向所述输出端子输出电源电压及第二电压时, 以所述第一及第三PMOS晶体管的阱电压为电源电压,在向所述输 出端子输出第一电压时,以所述第一及第三PMOS晶体管的阱电压 为第一电压,

所述第一PMOS晶体管的源极与电源电压连接,所述第二PMOS 晶体管的源极与第一电压连接,所述第三PMOS晶体管与第二电压 连接,

第一、第二以及第三PMOS晶体管的漏极与所述输出端子连接,

第一、第二以及第三PMOS晶体管的栅极上被输入选择各栅极的 控制信号。

2.如权利要求1所述的电压切换电路,其特征在于:

所述阱电位控制部还包括第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体 管,

所述第四PMOS晶体管的源极与所述电源电压连接,栅极上被输 入用于输出所述第一电压的第一控制信号,

所述第五PMOS晶体管的源极与该第四PMOS晶体管的漏极连 接,栅极上被输入对所述第一控制信号进行反相后的信号,漏极与输 出端子连接,

所述第四PMOS晶体管的漏极与第一及第三PMOS晶体管的阱 连接。

3.如权利要求2所述的电压切换电路,其特征在于:所述第一、 第二以及第三PMOS晶体管的栅极上分别连接使输出电压从电源电 压变化至阱电压的电平移位器的输出,由电平移位器来对选择信号的 电压电平进行导通/截止控制。

4.如权利要求2或3所述的电压切换电路,其特征在于:包括 NMOS晶体管,该NMOS晶体管的漏极与所述输出端子连接,源极 与所述第四PMOS晶体管的漏极连接,栅极上被输入所述第一控制 信号。

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