[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底(4)；

在所述半导体衬底(4)上方提供第一导电类型的半导体层(6)；

在所述半导体层(6)的一部分中形成第一导电类型的第一区(8)；

在所述半导体层(6)的一部分上方和所述第一区(8)的一部分 上方形成绝缘栅区(26)；

在所述半导体层上方形成掩模层，所述掩模层在所述第一区(8) 的一部分上方具有掩模开口(58)；

对所述掩模开口(58)提供第二导电类型的掺杂剂，以在所述半 导体层(6)中提供第二区(12)；

将所述第一区(8)和所述第二区(12)驱入到所述半导体层中， 以便形成第一导电类型的预先控制区(8)和第二导电类型的渐变体区 (12)，其中，所述第一导电类型的预先控制区(8)从表面(10)延 伸到所述半导体层中，并且在所述绝缘栅区(26)的一部分下方，所 述第二导电类型的渐变体区(12)具有第一掺杂浓度，延伸到所述预 先控制区(8)下方的所述半导体层中；

向所述掩模开口(58)提供第二导电类型的掺杂剂，以提供体区 (14)，所述体区(14)具有第二掺杂浓度，延伸到所述预先控制区 (8)中；以及

在所述体区(14)中形成第一导电类型的电流电极区(18)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述渐变体区(12)的第 一掺杂浓度随着远离所述预先控制区(8)而减小。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述渐变体区(12) 在所述预先控制区(8)下方延伸到所述衬底(4)。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二导电类型的 第二掺杂浓度大于所述第二导电类型的第一掺杂浓度。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述半导体层(6) 具有所述第一导电类型的第一掺杂浓度，并且所述预先控制区(8)具 有所述第一导电类型的第二掺杂浓度，其中，所述第二掺杂浓度大于 所述第一掺杂浓度。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述衬底(4)具有 所述第一导电类型，并且形成另一电流电极区(4)，并且其中，在所 述半导体器件处于导通状态时的操作中，电流在所述电流电极区(18) 与另一电流电极区(4)之间的电流路径中流动，通过所述体区(14)、 所述预先控制区(8)以及所述半导体层(6)，其中相邻的电流电极 区(18)到另一电流电极区(4)的电流路径形成V形。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成第一区(8)的 步骤包括将第一导电类型的掺杂剂注入到所述半导体层(6)中。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述驱入步骤包括在 第一温度下的第一热驱入操作，并且其中提供体区(14)的步骤包括 在第二温度下执行第二热驱入操作，以将第二导电类型的掺杂剂驱入 到所述预先控制区(8)中，其中，所述第一温度大于所述第二温度。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成电流电极区(18) 的步骤包括向所述掩模开口(58)的一部分提供第一导电类型的掺杂 剂，并且使所述第一导电类型的掺杂剂进入到所述体区(14)中。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成掩模层的步骤 包括在所述绝缘栅区(26)上方形成介电层(28)，并且去除所述介 电层(28)和所述绝缘栅区(26)的一部分，以提供延伸通过所述介 电层(28)和所述绝缘栅区(26)的所述掩模开口(58)。